[发明专利]发光器件结构及其制备方法、显示基板和显示装置

说明书

本申请提供了一种发光器件结构及其制备方法、显示基板和显示装置，该发光器件结构包括层叠设置在基底一侧的阳极层、第一功能层、有机发光层、第二功能层和阴极层；第一功能层包括依次层叠在阳极层上的空穴传输层和延缓空穴注入层，延缓空穴注入层用于降低空穴传输速率；或者，第一功能层包括依次层叠在阳极层上的空穴传输层，空穴传输层内分布有用于降低空穴传输速率的掺杂粒子。通过在空穴传输层与有机发光层之间设置延缓空穴注入层或者对空穴传输层掺杂，可以降低空穴在高电流密度下的迁移速率，从而降低空穴传输层与有机发光层界面的激子浓度，减少激子猝灭，提升器件发光效率，避免出现效率滚降，改善了显示效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种发光器件结构及其制备方法、显示基板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic light-emitting Diodes，OLED)由于具有驱动电压低、响应速度快、色域广、自发光等独特优点，被广泛认为将是下一代最具潜力的显示和照明技术。根据发光材料的不同，可以分为荧光OLED和磷光OLED。磷光材料由于其能够实现单线态和三线态激子共同参与发光，使器件的内量子效率理论上可以达到100％，拥有较高的外量子效率，具有广泛的应用前景。

然而，大部分高效率磷光器件都面临着一个共同问题是随着亮度增加外量子效率出现剧烈降低，即效率滚降(Rolloff)。磷光器件效率滚降的原因主要在于激子淬灭，包括三线态-三线态淬灭(Triplet-TripletAnnihilation，TTA)，以及激子-极化子淬灭(Exciton-PolaronAnnihilation，TPA)。

因此，为了进一步促进OLED的商业化实际应用，有必要发明有效的、普适的新型器件结构来抑制磷光OLED器件的效率滚降。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种发光器件结构及其制备方法、显示基板和显示装置，以解决现有磷光发光器件在高电流密度下存在效率滚降的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种发光器件结构，包括：层叠设置在基底一侧的阳极层、第一功能层、有机发光层、第二功能层和阴极层；

所述第一功能层包括依次层叠在所述阳极层上的空穴传输层和延缓空穴注入层，所述延缓空穴注入层用于降低空穴传输速率；

或者，所述第一功能层包括空穴传输层，所述空穴传输层内分布有用于降低空穴传输速率的掺杂粒子。

可选地，所述第一功能层还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极层与所述空穴传输层之间；所述第二功能层包括依次层叠在所述有机发光层上的电子传输层和电子注入层；和/或，所述有机发光层的材料为磷光材料。

可选地，所述延缓空穴注入层的HOMO能级为第一电离能，所述空穴传输层的HOMO能级为第二电离能；所述第一电离能的绝对值大于所述第二电离能的绝对值。

可选地，所述第一电离能的绝对值与所述第二电离能的绝对值的差值为0.19eV～0.29eV。

可选地，所述延缓空穴注入层的材料包括具有共轭结构的平面芳香族化合物。

可选地，所述第一功能层还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述空穴传输层与所述延缓空穴注入层之间，用于阻挡电子进入所述空穴传输层；所述电子阻挡层的HOMO能级为第三电离能，所述第一电离能的绝对值大于所述第三电离能的绝对值。

可选地，所述第一电离能的绝对值与所述第三电离能的绝对值的差值为0.07eV～0.2eV。

可选地，所述电子阻挡层的空穴迁移率与所述延缓空穴注入层的空穴迁移率的比值为10～100。