[发明专利]基于开口谐振环的太赫兹发射器有效
| 申请号： | 202110090366.2 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112751214B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 俞熊斌 | 申请（专利权）人： | 俞熊斌 |
| 主分类号： | H01Q23/00 | 分类号： | H01Q23/00;H01Q1/50;H01Q1/36;H01Q15/00;H01Q21/00;H01P7/00 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 宫建华 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 开口 谐振 赫兹 发射器 | ||
1.基于开口谐振环的太赫兹发射器，包括：基板以及设置在所述基板上的振荡电路，其特征在于：
所述振荡电路包括开口谐振环以及与所述开口谐振环对应设置的电阻，所述电阻设置在所述开口谐振环外侧，所述电阻与所述开口谐振环外壁紧密贴合，所述开口谐振环内设有金属电极；
所述振荡电路还包括半导体介质基共振遂穿二极管，所述金属电极位于所述开口谐振环内的中央位置，所述共振遂穿二极管位于两侧所述金属电极之间；
所述发射器还包括传输线，所述传输线连接所述共振遂穿二极管以及外部电压，所述开口谐振环外侧还设有附加天线；
所述传输线连接外部电压为直流偏置电压或交流电压；
所述共振遂穿二极管为磷化铟基共振遂穿二极管或砷化镓基耿氏二极管。
2.根据权利要求1所述的基于开口谐振环的太赫兹发射器，其特征在于：所述传输线为金属传输线。
3.根据权利要求1所述的基于开口谐振环的太赫兹发射器，其特征在于：若干所述发射器阵列排布在所述基板上。
4.根据权利要求1所述的基于开口谐振环的太赫兹发射器，其特征在于：所述附加天线为共面带状线附加天线。
5.根据权利要求1所述的基于开口谐振环的太赫兹发射器，其特征在于：所述开口谐振环截面为矩形或菱形或圆形。
6.根据权利要求1所述的基于开口谐振环的太赫兹发射器，其特征在于：任一所述发射器外对应设置有两个传输线。
7.根据权利要求1所述的基于开口谐振环的太赫兹发射器，其特征在于：所述传输线连接位置位于所述开口谐振环中心轴线上。
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