[发明专利]气体释放率测量系统及控制方法

说明书

本申请涉及一种气体释放率测量系统及控制方法。气体释放率测量系统包括放样室、第一抽真空装置、第一管路、检测室、第二抽真空装置、第一阀门和分压检测装置。放样室用于存放释放目标气体的待测样品。第一抽真空装置与放样室连通。检测室与放样室通过第一管路连通。第二抽真空装置与检测室连通。第一阀门设置于第一管路。分压检测装置与检测室连通。分压检测装置用于检测检测室中目标气体的分压。第一阀门打开时，放样室的气体通过经第一管路进入检测室。分压检测装置通过检测在第一阀门打开前后检测室中目标气体的分压的变化，可以得到待测样品释放目标气体的速率。

技术领域

本申请涉及检测技术领域，特别是涉及一种气体释放率测量系统及控制方法。

背景技术

砷化镓类半导体器件具有很多的优点，比如低温性能好、抗辐射能力强、具有小的噪声等，因此广泛应用于多芯片微波组件中。

在管壳的加工过程用到氢气，氢气很容易成为残余气体被密封在组件内。氢气会影响砷化镓类微波器件势垒层的有效失主浓度,进而改变肖特基内建势,减少沟道载流子浓度,从而使得微波器件的直流与微波性能发生退化。因此，有必要对微波器件的氢气的释放率进行测量，以获知微波器件内残余的氢气量。

发明内容

基于此，有必要针对怎样对微波器件的氢气的释放率进行测量的问题，提供一种气体释放率测量系统及控制方法。

一种气体释放率测量系统，包括放样室、第一抽真空装置、第一管路、检测室、第二抽真空装置、第一阀门和分压检测装置。所述放样室，用于存放释放目标气体的待测样品。所述第一抽真空装置，与所述放样室连通。所述检测室与所述放样室通过所述第一管路连通。所述第二抽真空装置与所述检测室连通。所述第一阀门设置于所述第一管路。所述分压检测装置与所述检测室连通。所述分压检测装置用于检测所述检测室中目标气体的分压。

在一个实施例中，所述的气体释放率测量系统还包括第一加热装置。所述第一加热装置设置于所述放样室。所述第一加热装置用于加热所述放样室。

在一个实施例中，所述气体释放率测量系统还包括第二加热装置。所述第二加热装置设置于所述检测室。所述第二加热装置用于加热所述检测室。

在一个实施例中，所述第一抽真空装置包括第一检测件、第二阀门和第一抽气组件。所述第一检测件与所述放样室连通。所述第一检测件用于检测所述放样室的压力。所述第二阀门的第一端与所述放样室连通。所述第一抽气组件分别与所述第二阀门的第二端和环境连通。所述第一抽气组件用于对所述放样室抽真空。

在一个实施例中，所述第一抽气组件包括第一真空泵和第二真空泵。所述第一真空泵与所述第二阀门的第二端连通。所述第二真空泵与所述第一真空泵连通。所述第二真空泵的工作压力小于所述第一真空泵的工作压力。

在一个实施例中，所述第二抽真空装置包括第二检测件、第三阀门和第二抽气组件。所述第二检测件与所述检测室连通。所述第二检测件用于检测所述检测室的压强。所述第三阀门的第一端与所述检测室连接。所述第二抽气组件分别与所述第三阀门的第二端和环境连通。所述第二抽气组件用于对所述检测室抽真空。

在一个实施例中，所述第二抽气组件包括第三真空泵和第四真空泵。所述第三真空泵与所述第三阀门的第二端连通。所述第四真空泵与所述第三真空泵连通。所述第四真空泵的工作压力小于所述第三真空泵的工作压力。

在一个实施例中，所述气体释放率测量系统还包括第四阀门。所述第四阀门的一端与所述放样室连通。所述第四阀门的另一端与环境连通。

一种如上述任一实施例所述的气体释放率测量系统的控制方法，包括：

控制第一阀门关闭。

将待测样品放入放样室，控制第一抽真空装置对所述放样室抽真空至第一预设压力，控制第二抽真空装置对检测室抽气至所述第一预设压力。