[发明专利]一种下降法晶体生长坩埚

权利要求书

1.一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：包括坩埚本体、盖设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖体、开设于所述坩埚盖体中的通孔、可升降的穿设于所述通孔中的升降组件；

所述升降组件包括可升降的穿设于所述通孔中的升降轴、连接在所述升降轴顶端的挡板、连接在所述升降轴底端的且用于阻止所述升降轴向上脱离所述通孔的阻挡件；所述挡板和所述阻挡件分别位于所述坩埚盖体的上下两侧；

所述坩埚还包括开设于所述坩埚盖体中的且上端位于所述挡板下方的排气孔；

所述升降组件具有上升位置和下降位置：所述升降组件处于所述上升位置时，所述挡板与所述排气孔沿上下方向间隔排列，所述坩埚内部通过所述排气孔与所述坩埚外部连通；所述升降组件处于所述下降位置时，所述挡板盖设于所述排气孔上。

2.根据权利要求1所述的一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：所述升降组件，用于在从所述坩埚外侧对所述坩埚抽真空时上升至所述上升位置；还用于在抽真空结束后在重力作用下下降至所述下降位置。

3.根据权利要求1所述的一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：所述升降轴和所述通孔的轴心线相互平行，所述升降轴的长度大于所述通孔的长度。

4.根据权利要求1所述的一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：所述升降轴的直径小于所述通孔的直径。

5.根据权利要求1所述的一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：所述升降组件处于所述上升位置时，所述阻挡件抵设于所述坩埚盖体下表面，所述排气孔下端与所述阻挡件之间间隔排列。

6.根据权利要求1所述的一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：所述升降组件处于所述下降位置时，所述挡板和所述坩埚盖体之间平面抵接或锥面抵接。

7.根据权利要求1所述的一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：所述坩埚本体和所述坩埚盖体之间螺纹连接或螺栓连接。

8.根据权利要求1所述的一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：所述坩埚本体和所述坩埚盖体之间柱面配合或锥面配合。

9.根据权利要求1所述的一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：所述排气孔有多个，多个所述排气孔两两间隔排列的设于所述挡板下方。

10.根据权利要求9所述的一种下降法晶体生长坩埚，其特征在于：多个所述排气孔均沿竖直方向延伸，或从下往上沿靠近所述通孔的方向倾斜延伸。