[发明专利]一种半导体用温控系统及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体用温控系统，其特征在于，包括：制冷系统和载冷剂系统，所述制冷系统包括依次串联形成回路的蒸发器的第一侧、压缩机、冷凝器和主路电子膨胀阀，所述载冷剂系统包括依次串联形成回路的蒸发器的第二侧、加热组件和循环泵，其中所述循环泵的出口和所述蒸发器的第二侧之间的管路用于流经负载部件；

所述循环泵的出口处设有目标温度传感器，所述蒸发器的第二侧的入口处设有进口温度传感器，所述蒸发器的第二侧的出口处设有出口温度传感器，所述蒸发器的第一侧的出口处设有压力传感器和吸气温度传感器；

所述制冷系统和所述加热组件用于根据目标温度传感器检测的实时目标温度与预设目标温度的偏差进行实时调整；所述制冷系统同时用于根据出口温度传感器检测的实时出口温度、进口温度传感器检测的实时进口温度、压力传感器检测的实时蒸发压力以及吸气温度传感器检测的实时吸气温度进行实时调整；

制冷系统还用于根据实时过热度进行修正调控，使得制冷系统的实时过热度处于预设过热度范围内；

预设过热度范围具体通过以下公式确定：

SH0 = T_入-min(T，m)+a-c×(T_入-T_出)；

SH1 = T_入-min(T，m)+b；

其中，SH0为过热度上限值；SH1为过热度下限值；T为预设目标温度；T_入为载冷剂系统中蒸发器入口温度；T_出为载冷剂系统中蒸发器出口温度；m，a，b，c为常数。

2.根据权利要求1所述的半导体用温控系统，其特征在于，所述压缩机的出口管路和所述蒸发器的第一侧的入口管路之间连通有热旁通管路，所述热旁通管路上设有热旁通电子膨胀阀。

3.一种半导体用温控系统控制方法，其特征在于，基于上述权利要求1或2所述的半导体用温控系统，包括：

根据实时目标温度和预设目标温度的偏差对加热组件和制冷系统进行调控，使得实时目标温度与预设目标温度一致；

同时根据载冷剂系统中的实时出口温度和实时进口温度、制冷系统中的实时蒸发压力和实时吸气温度对制冷系统进行调控；

根据载冷剂系统中的实时出口温度和实时进口温度、制冷系统中的实时蒸发压力和实时吸气温度对制冷系统进行调控具体包括：

根据制冷系统中的实时蒸发压力和实时吸气温度，获取制冷系统中的实时过热度；

通过对制冷系统调控使得实时过热度处于预设过热度范围内；

预设过热度范围具体通过以下公式确定：

SH0 = T_入-min(T，m)+a-c×(T_入-T_出)；

SH1 = T_入-min(T，m)+b；

其中，SH0为过热度上限值；SH1为过热度下限值；T为预设目标温度；T_入为载冷剂系统中蒸发器入口温度；T_出为载冷剂系统中蒸发器出口温度；m，a，b，c为常数。

4.根据权利要求3所述的半导体用温控系统控制方法，其特征在于，根据实时目标温度和预设目标温度的偏差对加热组件和制冷系统进行调控具体包括：

根据实时出口温度与预设出口温度的偏差，利用PID控制逻辑对加热组件的加热量和制冷系统的制冷量进行调控。

5.根据权利要求4所述的半导体用温控系统控制方法，其特征在于，对制冷系统的制冷量进行调控具体包括：

根据实时出口温度与预设出口温度的偏差，对热旁通电子膨胀阀的开度进行调控。

6.根据权利要求4所述的半导体用温控系统控制方法，其特征在于，根据载冷剂系统中的实时出口温度和实时进口温度、制冷系统中的实时蒸发压力和实时吸气温度对制冷系统进行调控具体包括：

根据制冷系统中的实时蒸发压力，获取实时蒸发温度；

通过对制冷系统调控使得实时蒸发温度低于预设蒸发温度。