[发明专利]检测方法

权利要求书

1.一种检测方法，用于检测刻蚀液的刻蚀能力，其特征在于，包括：

提供预设量的刻蚀液，并提供所述刻蚀液初始时的刻蚀速率；

提供多组半导体结构，并提供所述半导体结构中需刻蚀的部分的顶表面的面积，以及提供所述半导体结构需刻蚀的部分的厚度以提供第一预设厚度，其中，每组的半导体结构的数量至少为一个；

通过所述刻蚀液依次刻蚀所述多组半导体结构，以去除所述第一预设厚度的所述半导体结构；

根据所述第一预设厚度及所述半导体结构中被去除的部分的顶表面的面积，得到刻蚀每组所述半导体结构后的所述刻蚀液中的刻蚀副产物的含量；

根据所述刻蚀液的累计放置时间及得到的所述刻蚀副产物的含量，得到所述刻蚀液的刻蚀速率变化值；

将得到的所述刻蚀速率变化值与一阈值进行比较，并根据比较结果判断所述刻蚀液的刻蚀能力是否合格。

2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述刻蚀速率变化值根据如下公式得到：

△E＝△E₁+△E₂；其中，△E表示为刻蚀速率变化值，△E₁表示为第一刻蚀速率变化值，△E₂表示为第二刻蚀速率变化值。

3.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率变化值根据如下公式得到：

△E₁＝Q*K₁，其中，Q表示为刻蚀每组半导体结构后的刻蚀液中的刻蚀副产物的含量，K₁表示为第一变化值系数；

所述第二刻蚀速率变化值通过如下公式得到：

△E₂＝T*K₂，其中，K₂表示为第二变化值系数，T表示为刻蚀液的累计放置时间。

4.如权利要求3所述的检测方法，其特征在于，刻蚀每组所述半导体结构后的所述刻蚀液中的刻蚀副产物的含量，根据如下公式得到：

Q₁＝(P₁*T₁*A₁)；

Q_n＝(P₁*T₁*A₁+…+P_n*T_n*A_n)；

其中，Q₁表示为刻蚀第一组半导体结构后的刻蚀液中的刻蚀副产物的含量，Q_n表示为刻蚀第n组半导体结构后的刻蚀液中的刻蚀副产物的含量，P表示为每组半导体结构的数量，T表示为预设厚度，A表示为一个半导体结构中被去除的部分的顶表面的面积，n表示为每组半导体结构的序号，并且n≥2。

5.如权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率变化值为所述刻蚀液初始时的刻蚀速率与所述刻蚀液含有刻蚀副产物时的刻蚀速率之间的差值，所述第二刻蚀速率为所述刻蚀液初始时的刻蚀速率与所述刻蚀液被被放置所述累计放置时间后的刻蚀速率之间的差值的绝对值。