[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110093748.0 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112786693A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李娜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/739;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成沟槽；
进行注入能量为500keV～2MeV的离子注入工艺，在所述沟槽之间形成离子注入层；
进行激活时间为10min～100min的激活过程，在所述沟槽之间形成沟道。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述沟槽之间的距离小于一设定值，所述设定值为2μm～4μm。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述沟道的深度为2μm～3μm。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入工艺注入的离子包括硼离子。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述沟道为P型沟道。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入工艺中注入的离子的剂量为1×1013cm-2～1×1014cm-2。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述激活过程中激活温度为1000℃～1200℃。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述沟槽的填充材料包括氧化硅和多晶硅。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法用于制备IGBT器件。
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