[发明专利]晶体管器件版图的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，包括：

获取晶体管器件的原始版图，所述原始版图包括一有源区版图和一浮栅版图，所述有源区版图包括至少一个有源区图形，所述浮栅版图包括至少一个浮栅图形，所述浮栅图形包括第一浮栅子图形，所述第一浮栅子图形与所述有源区图形沿着第一方向间隔排布并且平行设置；

缩小所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度，以增大所述第一浮栅子图形与所述有源区图形的间距；

对缩小后的第一浮栅子图形进行设计规则检查，以确定缩小后的所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度是否符合设计规则，若否，则沿远离所述有源区图形的方向，对所述第一浮栅子图形进行第一方向上的延伸处理，以增大所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度。

2.如权利要求1所述的晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，缩小所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度的方法包括：

通过版图逻辑运算筛选出所述浮栅版图中的所有所述浮栅图形；

通过版图逻辑运算筛选出所有所述浮栅图形中的所述第一浮栅子图形；

缩小所有所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度，其中，所有的所述第一浮栅子图形在第一方向上的长度被缩小的尺寸相同。

3.如权利要求2所述的晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度被缩小的尺寸为20nm～30nm。

4.如权利要求1所述的晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，在获取所述晶体管器件的原始版图之后，在缩小所述第一浮栅子图形在第一方向上的长度之前，所述晶体管器件版图的形成方法还包括：

获取所述原始版图的设计规则，所述原始版图的设计规则包括所述第一浮栅子图形的最小尺寸设计规则，其中，所述第一浮栅子图形的最小尺寸设计规则包括：所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的最小长度和所述第一浮栅子图形在第二方向上的最小长度；以及，

减小所述第一浮栅子图形的最小尺寸设计规则中的所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的最小长度，以得到一设计阈值。

5.如权利要求4所述的晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，对缩小后的所述第一浮栅子图形进行设计规则检查的方法包括：

比较缩小后的第一浮栅子图形在第一方向上的长度与所述设计阈值的大小；以及，根据比较结果确定缩小后的所述第一浮栅子图形在第一方向上的长度是否符合设计规则。

6.如权利要求5所述的晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，确定缩小后的所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度是否符合设计规则的方法包括：

若缩小后的所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度等于或者大于所述设计阈值，则判定为缩小后的所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度符合所述设计规则；

若缩小后的所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度小于所述设计阈值，则判定为所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度不符合所述设计规则；以及，当判定为所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度不符合所述设计规则时，对修改后的所述第一浮栅子图形进行第一方向上的延伸处理。

7.如权利要求6所述的晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，对所述第一浮栅子图形进行第一方向上的延伸处理的方法包括：

沿所述第一方向，向远离所述有源区图形的方向延伸所述第一浮栅子图形，以使所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度增大至所述设计阈值。

8.如权利要求1所述的晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，所述浮栅图形的形状呈L型。

9.如权利要求8所述的晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，一个所述有源区图形与一个所述浮栅图形相对应，所述浮栅图形还包括第二浮栅子图形，所述第二浮栅子图形与所述第一浮栅子图形的部分重叠并连接为一体，并且所述第二浮栅子图形覆盖部分所述有源区图形。

10.如权利要求9所述的晶体管器件版图的形成方法，其特征在于，所述有源区图形和所述第一浮栅子图形均沿第二方向延伸，所述第二浮栅子图形沿所述第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。