[发明专利]一种拓扑自适应电磁吸波结构及其制备方法

权利要求书

1.拓扑自适应电磁吸波结构，其特征在于包括周期性排列连接的若干个超级单元，所述的超级单元由四个基本单元构成；

所述的基本单元为正方形的具有电磁吸波性能的片状叠层结构，其包括正方形的高分子介质层、氧化铟锡结构层和氧化铟锡衬底层，所述的氧化铟锡结构层局部覆盖高分子介质层的第一表面，所述的氧化铟锡衬底层完全覆盖在高分子介质层的第二表面；

所述的超级单元由四个基本单元以2乘以2的阵列排布连接形成，每个基本单元的位于同一条边上的两个顶点分别与相邻的基本单元的相邻顶点连接；

每个基本单元之间可以绕连接顶点旋转使所述的超级单元在结构水平面内展开或收拢，以使吸波结构整体在动态形变过程中，具有自适应电磁功能。

2.根据权利要求1所述的拓扑自适应电磁吸波结构，其特征在于所述的氧化铟锡结构层包括第一圆环和第二圆环，所述的第一圆环和第二圆环为圆心位于所述的高分子介质层的正方形的中心的同心圆，所述的第一圆环位于所述的第二圆环外。

3.根据权利要求2所述的拓扑自适应电磁吸波结构，其特征在于所述的第一圆环设置有第一缺口，所述的第二圆环设置有第二缺口和第三缺口，所述的第一缺口的中心线和第二缺口的中心线位于沿直径方向的同一直线上，所述的第一缺口和第二缺口位于圆心的同侧，所述的第三缺口的中心线与所述的第一缺口的中心线呈90度夹角。

4.根据权利要求3所述的拓扑自适应电磁吸波结构，其特征在于所述的第一缺口、第二缺口和第三缺口均朝向所述的超级单元的外边缘。

5.根据权利要求4所述的拓扑自适应电磁吸波结构，其特征在于所述的基本单元的边长为15-20毫米，所述的第一圆环的内径为3-4毫米，外径为5-7毫米；所述的第二圆环的内径为0.5-1毫米，外径为1.5-2毫米；所述的第一缺口的宽度为1.1-1.5毫米，所述的第二缺口和第三缺口的宽度为0.3-0.9毫米。

6.根据权利要求1所述的拓扑自适应电磁吸波结构，其特征在于所述的高分子介质层为聚氯乙烯薄膜或聚对苯二甲酸乙二酯薄膜。

7.根据权利要求1所述的拓扑自适应电磁吸波结构，其特征在于所述的高分子介质层的厚度为0.7-1.2毫米，所述的高分子介质层的折射率为1.5-1.7。

8.根据权利要求1所述的拓扑自适应电磁吸波结构，其特征在于所述的氧化铟锡结构层或氧化铟锡衬底层采用磁控溅射法制备在高分子介质层上。

9.根据权利要求1所述的拓扑自适应电磁吸波结构，其特征在于所述的氧化铟锡结构层的方阻为10-20Ω/sq。

10.根据权利要求1-9任一所述的拓扑自适应电磁吸波结构的制作方法，其特征在于包括如下步骤：

制备高分子介质薄膜基材，在高分子介质薄膜基材的第一表面磁溅控制备第一氧化铟锡涂层，在高分子介质薄膜基材的第二表面磁溅控制备第二氧化铟锡涂层，从而形成一多层复合的平面基体；

对第一氧化铟锡涂层进行刻蚀，使第一氧化铟锡涂层形成局部覆盖于第一表面的周期性的图案结构；

依照图案结构对平面基体进行激光刻蚀，以生成断裂痕，所述的断裂痕将平面基体分割形成沿所述的超级单元为周期分布的相互连接的基本单元，所述的高分子介质薄膜分割形成所述的基本单元的高分子介质层，所述的第一氧化铟锡涂层形成所述的基本单元的氧化铟锡结构层，所述的第二氧化铟锡涂层形成所述的基本单元的氧化铟锡衬底层。