[发明专利]一种二维碳纳米片阵列负载金属单原子的制备方法

权利要求书

1.一种二维碳纳米片阵列负载金属单原子的制备方法，其特征在于，所述的制备方法为：将预处理后的载体置于反应液中浸泡15分钟-24小时，所述的反应液为金属盐溶液和配体溶液的混合液，取出晾干后得到MOF阵列前体材料；然后将MOF阵列前体材料进行焙烧处理，得到二维碳纳米片阵列负载金属单原子。

2.一种二维碳纳米片阵列负载金属单原子的制备方法，其特征在于，所述的制备方法为：将预处理后的载体置于反应液中浸泡15分钟-24小时，所述的反应液为金属盐溶液和配体溶液的混合液，取出晾干后得到MOF阵列前体材料；然后将MOF阵列前体材料进行焙烧处理，焙烧完成后经酸性或者碱性溶液刻蚀得到二维碳纳米片阵列负载金属单原子。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的载体为碳布、泡沫镍、镍箔、泡沫铜、铜箔、钛箔、石墨、碳纤维或导电玻璃。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述预处理的方法为：将载体在氧化液中浸泡处理；所述焙烧氛围为氮气、氢气、氩气中的一种或几种。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的金属盐溶液和配体溶液的溶剂为甲醇、乙醇、水中的一种或几种；所述的配体溶液为2-甲基咪唑、均苯三甲酸、对苯二甲酸中的一种或几种的溶液。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属盐溶液为铁盐、钴盐、镍盐、铜盐、锰盐、钼盐中的一种或几种和锌盐的混合溶液；其中锌盐和其他金属盐的摩尔比例为4/1-20/1；所述焙烧的温度为800-1100摄氏度，焙烧时间为5分钟-5小时，升温速率为1-10摄氏度/分钟。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属盐溶液为铁盐、钴盐、镍盐、锌盐、铜盐、锰盐、钼盐中的一种或几种的溶液，其中锌盐和其他金属盐的摩尔比例小于4；所述焙烧的温度为800-1100摄氏度，焙烧时间为5分钟-5小时，升温速率为1-10摄氏度/分钟。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属盐溶液为铁盐、钴盐、镍盐、锌盐、铜盐、锰盐、钼盐中的一种或几种的溶液，其中锌盐和其他金属盐的摩尔比例小于20；所述焙烧的温度为400-750摄氏度，焙烧时间为5分钟-5小时，升温速率为1-10摄氏度/分钟。

9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述酸性或者碱性溶液为盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸、氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液或氢氧化锂溶液，刻蚀时间不超过24小时，但不为0。