[发明专利]用于光电化学阴极保护的纳米草丛复合光电材料及制备和应用有效

专利信息
申请号: 202110095271.X 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN112921324B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 陈卓元;姜旭宏;孙萌萌;鹿桂英;荆江平 申请(专利权)人: 中国科学院海洋研究所
主分类号: C23F13/14 分类号: C23F13/14
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 李颖
地址: 266071 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 用于 光电 化学 阴极保护 纳米 草丛 复合 材料 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种用于光电化学阴极保护的ZnIn2S4/TiO2纳米草丛复合光电材料,其特征在于:复合光电材料为于超细高度支化TiO2纳米草丛基底上复合纳米花球状的六方ZnIn2S4构建成异质结体系复合光电材料;

所述超细高度支化TiO2纳米草丛基底为通过调控初始反应物浓度利用一步水热法在导电玻璃基材上直接生长TiO2光电材料;

所述复合为通过二次水热将纳米花球状的六方ZnIn2S4原位生长在超细高度支化TiO2纳米草丛基底上;

所述超细高度支化TiO2纳米草丛基底为将干净的FTO导电玻璃置于高压反应釜中,加入溶液a在170-190℃下水热合成6-12小时,直接生长超细高度支化TiO2纳米草丛基底;其中,溶液a 为草酸钛钾粉末溶于去离子水H2O和一缩二乙二醇DEG的溶液,且 H2O和DEG的体积比为(0.9-1.10):(2.7-3.3),溶液a中草酸钛钾粉末的终浓度为1.98-2.02mM;

所述二次水热为将超细高度支化TiO2纳米草丛基底置于高压反应釜中,加入溶液b在180-220℃下水热合成9-15小时,使纳米花球状的六方ZnIn2S4原位生长在超细高度支化TiO2纳米草丛基底上,并且两者界面充分接触;其中,溶液b为ZnCl2、InCl3和TAA溶于去离子水的溶液,且 ZnCl2、InCl3和TAA的物质的量比为(0.9-1.1):(1.8-2.2):(3.6-4.4);溶液b中ZnCl2的终浓度为30-40 mM。

2.一种权利要求1所述的用于光电化学阴极保护的ZnIn2S4/TiO2纳米草丛复合光电材料的制备方法,其特征在于:通过一步水热法在导电玻璃基材上直接生长超细高度支化TiO2纳米草丛基底,再通过二次水热将纳米花球状的六方ZnIn2S4原位生长在超细高度支化TiO2纳米草丛基底上,两者充分接触形成ZnIn2S4/TiO2纳米草丛异质结复合光电材料。

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