[发明专利]Mirco-LED阵列结构及Mirco-LED阵列在审
| 申请号： | 202110095827.5 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN112786768A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;邱成峰;王浩;谢仕峰;张珂;吴涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/44;H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 孙凯乐 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mirco led 阵列 结构 | ||
1.一种Mirco-LED阵列结构，其特征在于，所述结构自下而上依次包括：
基底；
生长在所述基底上的N型氮化镓层；
生长在所述N型氮化镓层上的多量子阱层；
生长所述多量子阱层上的P型氮化镓层；
生长所述P型氮化镓层上的第一导电层；
覆盖所述N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层和第一导电层的钝化层，在所述第一导电层处形成第一通孔，所述第一导电层通过所述第一通孔形成基于所述钝化层的第一凸起；
生长在所述钝化层和第一导电层上的第一金属焊接层。
2.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，还包括：
生长在所述N型氮化镓层上的第二导电层，所述钝化层覆盖所述第二导电层，所述钝化层在所述第二导电层处形成第二通孔，所述第二导电层通过所述第二通孔形成基于所述钝化层的第二凸起；
生长在所述钝化层和第二导电层上的第二金属焊接层。
3.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述第一导电层自下而上依次包括：
生长在所述P型氮化镓层上的粘附层；
生长在所述粘附层上的导电层；
生长在所述导电层上的扩散阻挡层；
生长在所述扩散阻挡层上的浸润层。
4.根据权利要求3所述的阵列结构，其特征在于，所述粘附层为钛，所述导电层为铝，所述扩散阻挡层为钛，所述浸润层为金。
5.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，还包括：
生长在所述P型氮化镓层上的电流扩散层，所述第一导电层生在在所述电流扩散层。
6.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，还包括：
生长在所述基底上的氮化镓缓冲层，所述N型氮化镓层生长在所述氮化镓缓冲层上。
7.根据权利要求6所述的阵列结构，其特征在于，还包括：
生长在所述氮化镓缓冲层上的U型氮化镓层，所述N型氮化镓层生长在所述U型氮化镓层上。
8.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述第一凸起高于所述钝化层100纳米-500纳米。
9.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述第一金属焊接层为铟球凸点，所述铟球凸点的厚度为2微米-4微米。
10.一种Mirco-LED阵列，其特征在于，包括多个如权利要求1-9中任一所述的Mirco-LED阵列结构，所述Mirco-LED阵列结构按预设间隔呈周期性排列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市思坦科技有限公司，未经深圳市思坦科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110095827.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
