[发明专利]成膜装置和成膜方法

说明书

本发明涉及成膜装置和成膜方法。提供能够形成高品质的半导体膜的技术。本公开的一技术方案的成膜装置具有：旋转台，其设于真空容器内；载置台，其沿着所述旋转台的周向设置，用于载置基板；处理区域，在该处理区域，朝向所述旋转台的上表面供给处理气体；热处理区域，其沿着所述旋转台的周向与所述处理区域分离开地配置，在该热处理区域，以比所述处理区域的温度高的温度对所述基板进行热处理；以及冷却区域，其沿着所述旋转台的周向与所述热处理区域分离开地配置，在该冷却区域，冷却所述基板。

技术领域

本公开涉及成膜装置和成膜方法。

背景技术

公知有一种成膜装置，该成膜装置利用沿处理容器的周向以等间隔设置的分离部被划分成4个处理区域，向两个处理区域供给原料气体，向剩余的两个处理区域供给反应气体(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018－26528号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够形成高品质的半导体膜的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的成膜装置具有：旋转台，其设于真空容器内；载置台，其沿着所述旋转台的周向设置，用于载置基板；处理区域，在该处理区域，朝向所述旋转台的上表面供给处理气体；热处理区域，其沿着所述旋转台的周向与所述处理区域分离开地配置，在该热处理区域，以比所述处理区域的温度高的温度对所述基板进行热处理；以及冷却区域，其沿着所述旋转台的周向与所述热处理区域分离开地配置，在该冷却区域，冷却所述基板。

发明的效果

根据本公开，能够形成高品质的半导体膜。

附图说明

图1是表示一实施方式的成膜装置的结构例的纵剖视图。

图2是用于说明一实施方式的成膜装置的四个区域的图(1)。

图3是用于说明一实施方式的成膜装置的四个区域的图(2)。

图4是一实施方式的成膜装置的沿着周向的纵剖视图。

图5是用于说明一实施方式的成膜装置的旋转机构的图。

图6是表示一实施方式的成膜装置的另一结构例的图。

图7是表示一实施方式的成膜装置的动作的一个例子的图。

图8是表示一实施方式的成膜装置的又一结构例的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在添附的全部附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的参照附图标记，并省略重复的说明。

〔成膜装置〕

参照图1～图5说明成膜装置的结构例。图1是表示一实施方式的成膜装置的结构例的纵剖视图。

成膜装置1包括扁平的真空容器10。真空容器10的底部在径向上被分割成中央部12和包围该中央部12的环状部14。中央部12被支承于支承部16。支承部16贯穿真空容器10的顶部的中央部并从上方贯穿于真空容器10内。环状部14固定于真空容器10的侧壁。