[发明专利]一种发光二极管、光电模块及显示装置

说明书

本发明涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置，其中发光二极管包括衬底和外延结构，包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；分别位于第一半导体层和第二半导体层上的第一电极和第二电极；第一电极包括第一焊盘电极以及延伸的第一接触电极，第二电极包括第二焊盘电极；第一接触电极与第二焊盘电极在竖直面上的投影最短距离大于零。本发明通过控制第一接触电极与第二焊盘电极在竖直面上的投影最短距离，消除锡膏渗入导致不同电极导通漏电从而致使芯片失效的问题。

技术领域

本发明涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。LED芯片分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比，倒装芯片具有高电流、可靠和使用简便等优点，目前已得到大规模应用。

目前，部分倒装LED包括依次层叠的衬底、N型半导体层、发光层、P 型半导体层、电流扩展层、P型接触层、DBR反射层以及P焊盘电极，N型 GaN层与P型GaN层设置在衬底的同一侧，N型GaN层上还设置有N型接触层和N型焊盘电极，n型焊盘电极和p型焊盘电极形成于DBR反射层上。

为加强电流扩散降低电压，一般都需在N和P焊盘电极分别设置延伸的指状N型电极和、或P型电极。目前在长形芯片实际结构制作过程，N电极的N指状电极(接触电极)往往会覆盖于P焊盘电极之下，形成P焊盘电极 /绝缘层/N接触电极三层交叠结构。此时，对于其膜层质量就显得至关重要，因绝缘层具备绝缘层作用，对高温老化和高温高湿老化起关键作用。若绝缘层覆盖不良则芯片固晶后，锡膏容易从覆盖不良位置(断裂处)渗入(如图1 所示)，导致P焊盘电极和N接触电极导通漏电从而致使芯片失效。

发明内容

为了解决上述背景技术中提到的现有技术中提到的锡膏容易从覆盖不良位置(断裂处)渗入，导致不同电极之间导通漏电从而致使芯片失效的问题，本发明提供一种发光二极管，包括:

外延结构，包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，具有一个或者多个电极台面，所述电极台面具有贯穿所述第二半导体层、发光层的斜面，及露出部分所述第一半导体层的平面区；

第一电极，位于所述第一半导体层之上，电连接至第一半导体层，至少包括第一焊盘电极和第一接触电极，其中所述第一接触电极位于所述电极台面的平面区，与所述第一半导体层形成欧姆接触；

第二电极，位于所述第二半导体层之上，电连接至第二半导体层，所述至少包括第二焊盘电极；

绝缘层，位于所述第二半导体层之上，并覆盖所述电极台面的斜面，所述第一接触电极至少设置两个通孔，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极形成在所述绝缘层上，并分别通过所述通孔与所述第一接触电极和第二半导体层电连接；

所述第一接触电极与所述第二焊盘电极在竖直面上的投影最短距离大于零。

在上述技术方案的基础上，优选地，所述第一接触电极由第一焊盘电极向第二焊盘电极方向延伸，其与所述第二焊盘电极的最短距离为5～50μm。

在上述技术方案的基础上，优选地，所述发光二极管为一长度大于或者等于15mil的长方形芯片，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极之间的距离为 60～300μm。

在上述技术方案的基础上，优选地，所述第一接触电极包括一条状结构，所述条状结构位于所述外延结构的边缘区域。

在上述技术方案的基础上，优选地，所述第一接触电极的体积为 540μm³～6480μm³。

在上述技术方案的基础上，优选地，所述第一接触电极的长度为发光二极管本体长度的1/5～2/5。