[发明专利]制造方法、制造装置、夹具组件、半导体模块和车辆在审
申请号: | 202110096415.3 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN113380684A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 稻叶哲也 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/603;H01L21/687;H01L23/488 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈力奕;宋俊寅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 方法 装置 夹具 组件 半导体 模块 车辆 | ||
1.一种制造方法,该制造方法是用于制造具有半导体组件的半导体模块的制造方法,其特征在于,包括:
进行定位的阶段,该进行定位的阶段使具有弹性构件和在两端形成有开口的筒状构件的夹具组件覆盖所述半导体组件,从而对所述筒状构件进行定位,以使得在所述半导体组件的上方所配置的端子的焊接区域在俯视时落在所述筒状构件的一端的所述开口内,以便将所述半导体组件与外部装置相连接;
使得抵接的阶段,该使得抵接的阶段通过所述弹性构件的弹力来使所述筒状构件的所述一端与所述端子的正面紧贴,并且使所述端子的背面与所述半导体组件的被焊接部抵接;以及
进行焊接的阶段,该进行焊接的阶段从所述筒状构件的另一端一侧通过所述筒状构件的内侧将激光照射到所述端子的所述焊接区域,从而将所述端子的所述焊接区域焊接至所述半导体组件的所述被焊接部。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
所述使得抵接的阶段进一步包含进行隔离的阶段,该进行隔离的阶段通过在所述筒状构件的所述一端的所述开口的整个外周上使所述一端与所述端子的所述正面紧贴,从而将所述端子的所述焊接区域周围的空间与所述半导体组件周围的空间进行隔离。
3.如权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,
所述半导体模块进一步具有安装有所述半导体组件的冷却装置,
所述夹具组件进一步具有用于与所述冷却装置一起将所述半导体组件进行包围的覆盖构件,
所述筒状构件以在与所述覆盖构件之间夹着所述弹性构件的状态,宽松地配合在所述覆盖构件中所形成的贯通孔内,
所述使得抵接的阶段包含使得压缩的阶段,该使得压缩的阶段通过在所述覆盖构件的所述贯通孔内使所述筒状构件相对于所述覆盖构件进行相对移动,从而使所述弹性构件压缩。
4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,
所述使得抵接的阶段进一步包含进行遮断的阶段,该进行遮断的阶段利用所述筒状构件宽松地配合在所述贯通孔内以使得与所述覆盖构件之间夹着所述弹性构件的状态下的所述覆盖构件,将所述覆盖构件与所述冷却装置之间的空间密闭,从而将所述端子的所述焊接区域周围的空间与所述半导体组件周围的空间进行遮断。
5.如权利要求3或4所述的制造方法,其特征在于,
所述使得抵接的阶段包含进行防止的阶段,该进行防止的阶段利用所述覆盖构件和所述冷却装置所具有的位置偏移防止单元,在所述筒状构件的所述一端与所述端子的所述正面紧贴的状态下防止位置偏移。
6.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于,
所述进行防止的阶段包含如下的阶段:使所述冷却装置的安装有所述半导体组件的一侧的面与所述覆盖构件的端面抵接,使在所述覆盖构件和所述冷却装置的彼此的抵接面内所形成的、具有彼此互补的形状的凸部和凹部嵌合,从而在所述筒状构件的所述一端与所述端子的所述正面紧贴的状态下防止位置偏移。
7.如权利要求1至6中任一项所述的制造方法,其特征在于,
在所述端子的所述焊接区域形成有成为用于照射激光的视觉标记的凹状的刻印,
所述进行焊接的阶段包含进行校正的阶段,该进行校正的阶段利用拍摄单元来拍摄所述焊接区域,在想要在所述端子的所述焊接区域内开始激光照射的开始位置从与所述刻印的位置相关联的预先确定的位置发生偏移的情况下,使激光照射单元和覆盖有所述夹具组件的所述半导体模块中的任意一方进行相对移动,进行校正以使得所述开始位置变为所述预先确定的位置。
8.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于,
所述刻印包含相对于所述端子的所述正面具有角度的倾斜面,
所述进行校正的阶段包含进行识别的阶段,该进行识别的阶段在通过所述拍摄单元进行拍摄而得到的所述端子的所述焊接区域的图像内,利用所述刻印与所述端子的所述正面上的所述刻印周围的区域之间的对比度来识别所述刻印的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造