[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

在一实施例中，半导体装置的制造方法包括：通过使第一前驱物流动，以沿沉积制程腔室的内侧壁形成介电涂料，来准备沉积制程腔室，且使第二前驱物流动，以在介电涂料上方形成疏水层。此外，执行一或多个沉积循环。接着，使第二前驱物流动以修复疏水层。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体装置的制造方法，特别是涉及一种在制程腔室的内侧壁上形成介电涂料以及疏水层的半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置被使用于各种电子应用中，例如：个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式来制造半导体装置：通过在半导体基底上依序沉积材料的绝缘层或介电层、导电层和半导体层，并使用微影对各个材料层进行图案化(例如移除各个材料层的一部分)以形成基底上方的电路元件。

半导体工业通过不断缩小最小特征尺寸以持续提高各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的元件结合至给定区域中。但是，随着最小特征尺寸的缩小，出现了应解决的其他问题。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：准备沉积制程腔室，其中前述准备的操作包括：使多个第一前驱物流动，以沿前述沉积制程腔室的内侧壁形成介电涂料；以及使第二前驱物流动，以在前述介电涂料上方形成疏水层。前述方法还包括执行一或多个沉积循环。此外，前述方法包括在执行前述一或多个沉积循环之后，使前述第二前驱物流动以修复前述疏水层。

本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：在晶圆上方沉积金属氧化层，前述沉积金属氧化层的操作包括：在制程腔室的内侧壁上方沉积氧化硅涂料；使疏水性前驱物流动至前述制程腔室中，以在前述氧化硅涂料上方形成疏水层；在使前述疏水性前驱物流动之后，将前述晶圆放置于前述制程腔室中；使氧前驱物于前述晶圆上方流动；以及使金属前驱物于前述晶圆上方流动。前述方法还包括该金属氧化层图案化。

本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：在第一晶圆上执行多个第一制程步骤，且在原子层沉积工具上执行第一处理制程，前述第一处理制程包括在前述原子层沉积工具的多个内侧壁上方形成疏水涂料。前述方法还包括将前述第一晶圆放置于前述原子层沉积工具中，在前述第一晶圆上执行第一原子层沉积制程，且从前述原子层沉积工具移除前述第一晶圆。此外，前述方法包括在第二晶圆上执行多个第二制程步骤，在从前述原子层沉积工具移除前述第一晶圆之后，将前述第二晶圆放置于前述原子层沉积工具中。前述方法还包括在前述第二晶圆上执行第二原子层沉积制程，从前述原子层沉积工具移除前述第二晶圆，且在从前述原子层沉积工具移除前述第二晶圆之后，在前述原子层沉积工具上执行第二处理制程，前述第二处理制程包括补充在前述原子层沉积工具的前述内侧壁上方的前述疏水涂料。

附图说明

根据以下的详细说明并配合附图以更好地了解本公开实施例的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，附图中的各种特征未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以做清楚的说明。在通篇说明书及附图中以相似的标号标示相似的特征。

图1和图2绘示根据一些实施例的形成半导体装置的中间步骤的立体图。

图3至图5绘示根据一些实施例的形成半导体装置的特征的中间步骤。

图6至图9绘示根据一些实施例的原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)工具及其准备方法的示意图。

图10至图16绘示根据一些实施例的形成半导体装置的特征的中间步骤。

其中，附图标记说明如下：

50：半导体装置

100：晶圆

101：基底

103：第一沟槽

105：浅沟槽隔离区