[发明专利]三维存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 202110096658.7 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112768456A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 何欢;高晶;高倩;黄攀;杨川 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 形成 方法 | ||
1.一种三维存储器形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括外围区和核心区；
在所述核心区上形成台阶结构，并在所述外围区和所述台阶区上形成掩盖层；
刻蚀所述台阶结构对应的掩盖层，形成第一接触孔凹槽；
形成至少覆盖所述第一接触孔凹槽的侧壁的保护层；
刻蚀所述外围区对应的掩盖层，形成第二接触孔凹槽；
在第一接触孔凹槽和第二接触孔凹槽中沉积金属，形成对应的第一接触孔和第二接触孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层覆盖所述第一接触孔凹槽侧壁和底部。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述凹槽侧壁和底部的保护层后，在第一接触孔凹槽中沉积金属。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一接触孔凹槽和第二接触孔凹槽同步沉积金属。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多个第一接触孔与台阶结构上的多层台阶相对应。
6.一种三维存储器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括外围区和核心区；
形成于所述核心区上的台阶结构；
形成于所述台阶结构上的所述第一接触孔，所述第一接触孔中含有保护层；
形成与所述外围区上的第二接触孔。
7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，还包括，形成于所述外围区和所述台阶结构上的掩盖层，所述第一接触孔和所述第二接触孔都形成于所述掩盖层中。
8.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，多个第一接触孔与台阶结构上的多层台阶相对应。
9.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述第一接触孔与所述台阶结构电性连接。
10.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，第二接触孔贯穿所述掩盖层与所述衬底接触。
11.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述外围电路区包括P阱和N阱结构。
12.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述保护层位于所述第一接触孔侧壁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
