[发明专利]一种电驱动量子点单光子源及其制备方法

权利要求书

1.一种电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1)提供一基底；

2)于所述基底表面沉积正电极，对所述正电极进行刻蚀使所述正电极形成柱状阵列，于所述正电极表面沉积第一绝缘膜；

3)于所述第一绝缘膜表面沉积空穴注入层；

4)提供硫化银量子点，将所述量子点分散于分散液中形成量子点分散液，将所述空穴注入层上表面浸入所述量子点分散液中，在所述量子点分散液与所述正电极之间施加电压形成稳恒电场，使所述量子点分散液中的量子点材料生长于所述空穴注入层表面对应下方所述正电极中所述柱状阵列中的突起位置；

5)于所述空穴注入层表面沉积第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包覆所述量子点，形成量子发光层；

6)于所述量子点发光层表面沉积电子注入层；

7)于所述电子注入层表面形成负电极；

所述步骤2)的具体过程包括：通过化学气相沉积法于所述基底表面沉积所述正电极，通过表面刻蚀使所述正电极形成柱状阵列，通过旋涂法于所述正电极表面沉积第一绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于，所述步骤4)的具体过程包括：提供硫化银量子点，将所述量子点分散于分散液中，且通过调节所述量子点或所述分散液的添加量以形成光密度在800nm处为0.1的标定分散液，将所述标定分散液进一步稀释得到量子点分散液。

3.根据权利要求1所述的电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中对所述正电极进行刻蚀形成的各个柱状的所述正电极之间的间距大于等于3μm，各个柱状所述正电极之间底部相连。

4.根据权利要求1所述的电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于，所述步骤4)的具体过程包括：于所述量子点分散液中放置电极板，于所述电极板与所述正电极之间施加可调电压，所述电极板连接电源负极，所述可调电压范围低于所述第一绝缘膜的击穿电压。

5.根据权利要求1所述的电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于：所述基底的材料包括石英玻璃、透明陶瓷、聚酰亚胺中的任意一种；所述正电极的材料包括氟掺杂二氧化锡、氧化铟锡中的任意一种；所述空穴注入层的材料包括聚乙烯咔唑；所述电子注入层的材料包括氧化锌；所述负电极的材料包括银、铝和金中的任意一种。

6.一种电驱动量子点单光子源，所述电驱动量子点单光子源包括基底、空穴注入层、量子点发光层、电子注入层、负电极，其特征在于：所述电驱动量子点单光子源还包括正电极，所述正电极为柱状阵列，所述正电极设置在所述基底表面，于所述正电极表面沉积第一绝缘膜，所述空穴注入层沉积在所述第一绝缘膜表面；所述量子点发光层包括第二绝缘膜以及位于所述第二绝缘膜中与所述空穴注入层接触的量子点，所述量子点的材料为硫化银。

7.根据权利要求6所述的电驱动量子点单光子源，其特征在于：所述第一、第二绝缘膜的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或二氧化硅。

8.根据权利要求7所述的电驱动量子点单光子源，其特征在于：所述量子点与所述电子注入层之间的垂直距离为2～3nm。

9.根据权利要求6所述的电驱动量子点单光子源，其特征在于：所述基底的材料包括石英玻璃、透明陶瓷、聚酰亚胺中的任意一种；所述正电极的材料包括氟掺杂二氧化锡、氧化铟锡中的任意一种；所述空穴注入层的材料包括聚乙烯咔唑；所述电子注入层的材料包括氧化锌；所述负电极的材料包括银、铝和金中的任意一种。