[发明专利]一种膜层生长方法、装置、设备及系统

说明书

本申请实施例提供了一种膜层生长方法、装置、设备及系统，可以利用第一站点在待处理晶圆上形成待成膜材料的晶种，利用第二站点在形成有晶种的待处理晶圆上形成待成膜材料的低温膜层，利用第三站点对形成有低温膜层的待处理晶圆进行ICE处理，利用第四站点在低温膜层上形成待成膜材料的高温膜层，这样相比于传统技术中利用第一站点生成晶种和低温膜层，减少了第一站点的工作时间，相比于传统技术中利用第二站点、第三站点和第四站点来形成高温膜层，减少了高温膜层的工作站点数量，利于控制同时减少生长时间，因此可以提高膜层生长效率。

技术领域

本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种膜层生长方法、装置、设备及系统。

背景技术

在本导体器件的制造工艺中，具有膜层生长的需求，例如在平面上沉积材料以形成平整膜层，或在具有凹陷部位的器件上沉积材料以填充凹陷。举例来说，在半导体器件制造工艺中，会利用钨金属作为接触塞，具体的，可以先对晶圆上的介质层进行刻蚀得到通孔，而后在通孔中填充钨。

在进行膜层生长时，可以利用抑制控制增强(inhibit controlled enhance，ICE)处理，调控膜层的质量，ICE机台中通常具有四个站点(station，STN)，分别对晶圆进行不同的处理，以得到高质量的膜层。然而现有的站点设置导致膜层生长时间较长，不利于提高膜层生长的效率。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种膜层生长方法、装置、设备及系统，合理化站点工作设置，减少膜层生长时间，提高膜层生长效率。

本申请实施例提供了一种膜层生长方法，包括：

利用第一站点在待处理晶圆上形成待成膜材料的晶种；

利用第二站点在形成有所述晶种的待处理晶圆上形成所述待成膜材料的低温膜层；

利用第三站点对形成有所述低温膜层的待处理晶圆进行抑制控制增强ICE处理；

利用第四站点在所述低温膜层上形成所述待成膜材料的高温膜层。

可选的，所述待处理晶圆依次到达所述第一站点、所述第二站点、所述第三站点、所述第四站点所在位置；

利用所述第一站点形成所述晶种的方式包括：在所述待处理晶圆到达所述第一站点所在位置时控制所述第一站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入；

利用所述第二站点形成所述低温膜层的方式包括：在所述待处理晶圆到达所述第二站点所在位置时控制所述第二站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入；

利用所述第三站点进行所述ICE处理的方式包括：在所述待处理晶圆到达所述第三站点所在位置时控制所述第三站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入；

利用所述第四站点形成所述高温膜层的方式包括：在所述待处理晶圆到达所述第四站点所在位置时控制所述第四站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入。

可选的，所述待成膜材料为钨，所述待处理晶圆上具有贯穿介质层的通孔或沟槽，所述待成膜材料用于填充所述通孔或沟槽。

可选的，所述第一站点和所述第二站点的工作温度范围为275-350℃，所述第三站点的工作温度范围为355-400℃，所述第四站点的工作温度范围为410-430℃。

可选的，所述第一站点和所述第二站点的工作温度为300℃，所述第三站点的工作温度为395℃，所述第四站点的工作温度为430℃。

本申请实施例提供了一种膜层生长设备，包括：

第一站点，用于在待处理晶圆上形成待成膜材料的晶种；

第二站点，用于在形成有所述晶种的待处理晶圆上形成所述待成膜材料的低温膜层；