[发明专利]一种新型多路高压采样电路

权利要求书

1.一种新型多路高压采样电路，其特征在于，所述新型多路高压采样电路包括至少两个结构相同的采样通道，每个采样通道的输入端分别作为所述新型多路高压采样电路的一个采样输入端连接一路待采样信号，每个采样通道的输出端均相连并作为所述新型多路高压采样电路的采样输出端；

在每个采样通道中，所述采样通道的输入端连接四个场效应管组的第一端，第一场效应管组的第二端作为所述采样通道的输出端，第二场效应管组的第二端悬空；所述第一场效应管组的第三端、第三场效应管组的第二端、第四场效应管组的第三端相连并受控于第一控制信号；所述第二场效应管组的第三端、第四场效应管组的第二端和第三场效应管组的第三端相连并受控于第二控制信号；其中，四个场效应管组的结构相同，每个场效应管组分别包括两个源端相连的NMOS管，两个NMOS管的漏端分别作为所述场效应管组的第一端和第二端，两个NMOS管的栅端相连并作为所述场效应管组的第三端；

通过各个采样通道的第一控制信号和所述第二控制信号依次选通各个采样通道，并将被选通的采样通道所连接的待采样信号通过所述采样输出端输出；

其中，在每个采样通道中，第一接地NMOS管的漏端连接所述第一场效应管组的第三端、源端接地，第二接地NMOS管的漏端连接所述第二场效应管组的第三端、源端接地，所述采样通道的选通信号经过反相器连接所述第一接地NMOS管和第二接地NMOS管的栅端；

第一时钟信号和所述采样通道的选通信号经过第一与门后通过第一电容连接所述第一场效应管组的第三端，第二时钟信号和所述采样通道的选通信号经过第二与门后通过第二电容连接所述第二场效应管组的第三端，所述第一时钟信号和所述第二时钟信号的电平相反；

当所述采样通道的选通信号为高电平时、所述采样通道被选通，两个接地NMOS管断开；当所述采样通道的选通信号为低电平时、所述采样通道未被选通，两个接地NMOS管导通，所述第一控制信号和所述第二控制信号均为低电平。

2.根据权利要求1所述的新型多路高压采样电路，其特征在于，每个场效应管组还包括齐纳二极管，所述齐纳二极管的阳极连接两个NMOS管的源端，所述齐纳二极管的阴极连接两个NMOS管的栅端。

3.根据权利要求2所述的新型多路高压采样电路，其特征在于，所述齐纳二极管的反向击穿电压低于各个NMOS管的栅端和源端的最高承受电压。