[发明专利]半导体制程废气处理设备有效

专利信息
申请号: 202110099426.7 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN112915718B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 宁腾飞;杨春水;章文军;张坤;陈彦岗;杨春涛;王继飞;席涛涛;何磊;闫潇 申请(专利权)人: 北京京仪自动化装备技术股份有限公司
主分类号: B01D53/00 分类号: B01D53/00;B01D49/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李文丽
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体 废气 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种半导体制程废气处理设备,其特征在于,包括:

处理容器,限制出处理腔;

第一进气管,与所述处理腔连通并用于向所述处理腔内通入待处理气体;

第二进气管,套设于所述第一进气管的外侧并连接于所述处理容器,所述第二进气管设置气体进口,所述第二进气管与所述第一进气管之间形成进气夹层,所述进气夹层与所述处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体,所述第一辅助气体的温度与流速均高于所述待处理气体;

所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体,所述容器本体包括第一容器和套设于所述第一容器外侧的第二容器,所述第二容器密封连接于所述盖体,所述第一容器限制出第一腔体,所述第一进气管的出口端对应于所述第一腔体,所述第二容器在所述第一容器的外侧限制出第二腔体,所述第一容器与所述盖体之间设有连通所述第一腔体与所述第二腔体的第一间隙,所述第二容器的侧壁设置溢流进口,使得所述第二腔体内的液体可通过所述第一间隙溢流进入所述第一腔体。

2.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备,其特征在于,所述盖体限制出气壁夹层,所述气壁夹层位于所述处理腔内并与所述处理腔连通,所述盖体构造有与所述气壁夹层连通并用于向所述气壁夹层内通入第二辅助气体的第一连通口,所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述处理腔的第二连通口。

3.根据权利要求2所述的半导体制程废气处理设备,其特征在于,所述气壁夹层环绕于多个所述第一进气管的外周。

4.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备,其特征在于,所述处理容器内设有刮刀,所述刮刀连接于驱动件,所述驱动件适于驱动所述刮刀沿所述第一容器的周向转动。

5.根据权利要求4所述的半导体制程废气处理设备,其特征在于,所述刮刀包括内刀部、外刀部和连接所述内刀部与所述外刀部的连接部,所述连接部与所述第一容器朝向所述盖体的表面相贴合或设有第二间隙,所述内刀部与所述第一容器的内壁面之间相贴合或设有第三间隙,所述外刀部与所述第一容器的外壁面之间相贴合或设有第四间隙。

6.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备,其特征在于,所述盖体限制出气壁夹层,所述盖体构造有连通所述气壁夹层与所述第一腔体的第二连通口,所述第二连通口对应于所述第一容器的内壁面。

7.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理设备,其特征在于,所述第二容器远离所述盖体的一端设有所述溢流进口。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体制程废气处理设备,其特征在于,所述第一进气管为直管。

9.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体制程废气处理设备,其特征在于,所述进气夹层与氮气管路连接。

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