[发明专利]一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统

权利要求书

1.一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统，其特征在于，包括主控器（100），和包括用于检测杂质是否存在的红外发射器（200）、红外接收器（300），以及包括串行数据检测电路（500）和污染程度分析电路（600）；

所述红外发射器（200）与所述主控器（100）电性连接并由所述主控器（100）控制而发射红外线；所述红外接收器（300）的输出端与所述串行数据检测电路（500）的输入端电性连接；所述红外接收器（300）将当前时刻的红外线接收情况以高低电平的形式输入给所述串行数据检测电路（500）处理；

所述串行数据检测电路（500）的输出端电性连接所述污染程度分析电路（600）的输入端；所述串行数据检测电路（500）将限定时间内连续检测到的红外线接收情况以高低电平的形式传递给所述污染程度分析电路（600）进行分析；

所述污染程度分析电路（600）分析由所述串行数据检测电路（500）传递的电平信号并通过三个输出端分别输出三种不同的红外线接收程度来表现不同的杂质污染程度。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统，其特征在于，所述污染程度分析电路（600）包括数据叠加电路（610）和数据比较电路（620）；

所述数据叠加电路（610）包括第一集成运放电路（710）；所述第一集成运放电路（710）的反相输入端电性连接第五电阻一端，所述第五电阻的另一端接地；

所述第一集成运放电路（710）的输出端电性连接反馈电阻并反馈至所述第一集成运放电路（710）的反相输入端；所述第一集成运放电路（710）的输出端还接入所述数据比较电路（620）；由所述第一集成运放电路（710）的输出端输出的电平信号在经过所述数据比较电路（620）的比较处理后，由所述数据比较电路（620）的三个输出端分别输出三个电平信号来表述三种杂质污染程度；

所述第一集成运放电路（710）的同相输入端同时电性连接第一电阻一端、第二电阻一端、第三电阻一端和第四电阻一端，所述第四电阻另一端接地；

所述第一电阻另一端、所述第二电阻另一端和所述第三电阻另一端均接入由所述串行数据检测电路（500）输出的电平信号。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统，其特征在于，所述第一电阻与第一D触发器（611）的输出端电性连接，所述第二电阻与第二D触发器（612）的输出端电性连接，所述第三电阻与第三D触发器（613）的输出端电性连接，所述第一D触发器（611）、所述第二D触发器（612）和所述第三D触发器（613）的输入端均与所述串行数据检测电路（500）的输出端电性连接；所述第一D触发器（611）、所述第二D触发器（612）和所述第三D触发器（613）的脉冲信号输入端均与第二脉冲信号发生器（420）电性连接。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统，其特征在于，所述第一D触发器（611）输入端与所述串行数据检测电路（500）的输出端之间电性接入第一时控开关，所述第二D触发器（612）输入端与所述串行数据检测电路（500）的输出端之间电性接入第二时控开关，所述第三D触发器（613）输入端与所述串行数据检测电路（500）的输出端之间电性接入第三时控开关；

所述第一时控开关、所述第二时控开关和所述第三时控开关均与所述主控器（100）电性连接，并受所述主控器（100）控制闭合时间。

5.根据权利要求4所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统，其特征在于，所述第一时控开关闭合与所述第二时控开关闭合的间隔时间为相邻两个脉冲信号到达的时间差；所述第二时控开关闭合与所述第三时控开关闭合的间隔时间也为相邻两个脉冲信号到达的时间差；

在一个脉冲信号到达时，所述第一时控开关闭合；在相邻的第二个脉冲信号到达时，所述第二时控开关闭合；在相邻的第三个脉冲信号到达时，所述第三时控开关闭合。