[发明专利]含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法、应用

权利要求书

1.一种含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜，所述薄膜利用含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的组合物通过熔融挤出法制备，其中，所述组合物，按重量百分比计，包括：

70～100％偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物，0～20％陶瓷颗粒，0～10％功能树脂和0～5％加工助剂。

2.根据权利要求1所述的含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜，其中，所述熔融挤出法包括挤出吹膜法或挤出流延延伸法；

所述挤出吹膜法包括以下至少之一：单层吹膜法、多层共挤吹膜法、双泡法；

所述挤出流延延伸法包括挤出流延-横向拉伸法。

3.根据权利要求1所述的含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜，其中，所述偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的熔点T_m为110～185℃，熔体流动速率为0.5～9.0g/10min。

4.根据权利要求1所述的含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜，其中，所述陶瓷颗粒包括以下至少之一：氧化铝、二氧化镁、二氧化硅、二氧化钛、勃姆石、磷酸钛铝锂，所述陶瓷颗粒的平均粒径为10～600nm。

5.根据权利要求1所述的含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜，其中，所述功能树脂包括以下至少之一：聚丙烯、聚乙烯、聚环氧乙烷、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯；所述加工助剂包括分散剂和抗氧剂。

6.一种如权利要求1～5任一项所述的含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的薄膜制备方法，包括：

称取70～100wt％偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物，0～20wt％陶瓷颗粒，0～10wt％功能树脂和0～5wt％加工助剂并混合均匀，得到含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的预混物；

将所述预混物投入挤出设备进行熔融共混并挤出造粒，得到所述含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的粒料；

将所述粒料利用熔融挤出法按照预设工艺制备预设厚度的薄膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述挤出设备的螺杆长径比为(35-55)：1，所述挤出设备的加工温度为T_m～T_m+80℃，螺杆转速为200-700r/min；

所述熔融挤出法包括：挤出吹膜法和挤出流延拉伸法；所述挤出吹膜法的步骤为：塑化后的组合物从环形口模中挤出，经牵引、吹胀、冷却成膜；挤出流延拉伸法的步骤为：塑化后的组合物从T型口模中挤出到流延辊上得到预制膜，预制膜经横向拉伸得到薄膜。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述预设工艺包括：

所述挤出吹膜过程中吹胀比α为2.0～5.0，牵引比β为1.5～20，霜线高度与口模直径之比γ为0.5～15；所述吹胀比α、所述牵引比β、所述霜线高度与口模直径之比γ需同时满足：γ≤9α/2β；

所述挤出流延拉伸过程中流延辊的温度为T_m-90℃～T_m-60℃，流延得到的预制膜的厚度为20～150μm，横向拉伸温度为T_m-30℃～T_m+5℃，横向拉伸倍率为1.5～6。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述预设厚度的薄膜厚度为5～30μm；所述预设工艺还包括：熔融挤出成膜过程中的口模温度为T_m+50℃～T_m+90℃，其中，所述T_m为所述偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的熔点。

10.一种如权利要求1～5中任一项所述的含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜或如权利要求6～9中任一所述的制备方法制备得到的含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜在电化学装置中的应用。