[发明专利]一种矫正焦平面探测器倒焊工艺系统误差的工艺方法

权利要求书

1.一种矫正焦平面探测器倒焊工艺系统误差的工艺方法，包括步骤：1)试样材料装载，2)倒焊互连，3)镜检测量读数，4)同设备标准件进行比较，5)调整偏差量；其特征在于：具体操作步骤如下：

1)试样材料装载：将准备好的两块透明试样芯片放置在对应托盘中，操作倒焊机将两块透明试样芯片真空吸附在对应的倒焊夹具上；

2)倒焊互连：采用倒焊互连工艺将两块透明试样芯片互连，倒焊互连结束后，试样模块吸附在基座的读出电路用倒焊夹具上保持不动；

3)镜检测量读数：使用对准显微镜系统对互连的试样模块上的测量尺标记进行测量；

4)同设备标准件进行比较：将镜检的试样模块误差量同设备标准件误差值进行比较，得出一个偏差量；

5)调整偏差量：使用倒焊机上X,Y轴调节标尺，进行偏差量的调整；

6)GaN焦平面探测器倒焊：偏差量调整完毕后，就可以进行GaN焦平面探测器于读出电路的倒焊互连工艺，矫正了系统误差后，避免了互连过程中倒焊偏移，使相邻铟柱的触碰，从而导致像元间短路的问题。

2.根据权利要求1所述的一种矫正焦平面探测器倒焊工艺系统误差的工艺方法，其特征在于：

步骤1)中所述的两块透明试样芯片使用的高平整度材料为双抛蓝宝石片，铟柱规模和焦平面探测器器件的铟柱规模相一致，其平面度≤2μm，厚度与光敏芯片相同，偏差±0.1mm。