[发明专利]一种提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法在审
| 申请号： | 202110100756.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113013026A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 徐国庆;兰添翼;刘向阳;乔辉;贾嘉;李向阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L31/18;H01L31/103 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 型碲镉汞体晶 载流子 输运 参数 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法，其特征在于包括以下几个步骤：
1)样品清洗：将碲镉汞体晶依次置于三氯乙烯、乙醚、丙酮和无水乙醇四种有机溶剂中清洗；
2)使用真空油脂将碲镉汞体晶粘贴在离子束刻蚀机的样品台上，真空优于5×10－4Pa；
3)向腔体内充氩气，真空度至5×10－2Pa；
4)进行氩离子束刻，离子束能量300～800W，束流密度0.6～2mA/cm2，刻蚀时间20～100min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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