[发明专利]一种830nm半导体激光阵列合束装置在审
| 申请号： | 202110101580.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112636181A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李再金;杨云帆;袁毅;杨隆杰;赵志斌;陈浩;李林;乔忠良;曾丽娜;曲轶 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 571158 海南省*** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 830 nm 半导体 激光 阵列 束装 | ||
【权利要求书】：
1.一种830nm半导体激光阵列合束装置，其特征在于，包括830nm半导体激光阵列模块（1）、准直镜（2）、空心梯型圆台（3）和聚焦镜（4）；准直镜（2）前后表面镀有186nm TiO2/99nmSiO2/160nm TiO2/97nm SiO2的光学膜；空心梯型圆台（3）包括圆台上底面（3-1）、圆台外侧面（3-2）、圆台下底面（3-3）和圆台内侧面（3-4），圆台外侧面（3-2）和圆台下底面（3-3）成45°角，圆台内侧面（3-4）和圆台下底面（3-3）成135°角，圆台上底面（3-1）和圆台下底面（3-3）镀有186nm TiO2/99nm SiO2/160nm TiO2/97nm SiO2的光学膜；聚焦镜（4）前后表面镀有186nm TiO2/99nm SiO2/160nm TiO2/97nm SiO2的光学膜。
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