[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 202110101661.3 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN114203233A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 村山昭之;杉前纪久子;西山胜哉;藤松基彦;柴田昇 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/10;G11C16/30 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,具备:
第1存储器串,包含第1存储单元;
第2存储器串,包含第2存储单元;
第1位线,连接于所述第1存储器串;
第2位线,连接于所述第2存储器串;
第1字线,连接于所述第1存储单元及所述第2存储单元;以及
控制电路,电连接于所述第1位线、所述第2位线及所述第1字线;且
所述控制电路在对所述第1存储单元及所述第2存储单元的第1写入序列的第1编程动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给第1位线电压,
在所述第1编程动作之后执行的第2编程动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给大于所述第1位线电压的第2位线电压或大于所述第2位线电压的第3位线电压,
在所述第2编程动作之后执行的第3编程动作中,向所述第1位线供给所述第2位线电压,向所述第2位线供给所述第3位线电压,
在所述第3编程动作之后执行的第4编程动作中,向所述第1位线供给所述第3位线电压,向所述第2位线供给所述第2位线电压。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,具备:
第3存储器串,包含第3存储单元;及
第3位线,连接于所述第3存储器串;且
所述第1字线连接于所述第3存储单元,
所述控制电路电连接于所述第3位线,
所述控制电路
在所述第1编程动作中,向所述第3位线供给所述第1位线电压,
在所述第2编程动作中,向所述第3位线供给所述第2位线电压或所述第3位线电压,
在所述第3编程动作中,向所述第3位线供给所述第3位线电压,
在所述第4编程动作中,向所述第3位线供给所述第3位线电压。
3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,
具备电连接于所述第1字线的第1配线,且
所述控制电路
在所述第1编程动作中,向所述第1配线供给第1编程电压,
在所述第2编程动作中,向所述第1配线供给大于所述第1编程电压的第2编程电压,
在所述第3编程动作中,向所述第1配线供给大于所述第2编程电压的第3编程电压,
在所述第4编程动作中,向所述第1配线供给大于所述第3编程电压的第4编程电压。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中
所述控制电路
在所述第1编程动作之后且所述第2编程动作之前执行的第1验证动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给大于所述第2位线电压的第4位线电压,向所述第1配线供给小于所述第1编程电压的验证电压,
在所述第2编程动作之后且所述第3编程动作之前执行的第2验证动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给所述第4位线电压,向所述第1配线供给所述验证电压,
在所述第3编程动作之后且所述第4编程动作之前执行的第3验证动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给所述第1位线电压,向所述第1配线供给所述验证电压。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,具备
第3存储器串,包含第3存储单元;及
第3位线,连接于所述第3存储器串;且
所述第1字线连接于所述第3存储单元,
所述控制电路电连接于所述第3位线,
所述控制电路
在所述第1验证动作中,向所述第3位线供给所述第4位线电压,
在所述第2验证动作中,向所述第3位线供给所述第4位线电压,
在所述第3验证动作中,向所述第3位线供给所述第1位线电压。
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