[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202110101661.3 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN114203233A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 村山昭之;杉前纪久子;西山胜哉;藤松基彦;柴田昇 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/10;G11C16/30
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,具备:

第1存储器串,包含第1存储单元;

第2存储器串,包含第2存储单元;

第1位线,连接于所述第1存储器串;

第2位线,连接于所述第2存储器串;

第1字线,连接于所述第1存储单元及所述第2存储单元;以及

控制电路,电连接于所述第1位线、所述第2位线及所述第1字线;且

所述控制电路在对所述第1存储单元及所述第2存储单元的第1写入序列的第1编程动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给第1位线电压,

在所述第1编程动作之后执行的第2编程动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给大于所述第1位线电压的第2位线电压或大于所述第2位线电压的第3位线电压,

在所述第2编程动作之后执行的第3编程动作中,向所述第1位线供给所述第2位线电压,向所述第2位线供给所述第3位线电压,

在所述第3编程动作之后执行的第4编程动作中,向所述第1位线供给所述第3位线电压,向所述第2位线供给所述第2位线电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,具备:

第3存储器串,包含第3存储单元;及

第3位线,连接于所述第3存储器串;且

所述第1字线连接于所述第3存储单元,

所述控制电路电连接于所述第3位线,

所述控制电路

在所述第1编程动作中,向所述第3位线供给所述第1位线电压,

在所述第2编程动作中,向所述第3位线供给所述第2位线电压或所述第3位线电压,

在所述第3编程动作中,向所述第3位线供给所述第3位线电压,

在所述第4编程动作中,向所述第3位线供给所述第3位线电压。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,

具备电连接于所述第1字线的第1配线,且

所述控制电路

在所述第1编程动作中,向所述第1配线供给第1编程电压,

在所述第2编程动作中,向所述第1配线供给大于所述第1编程电压的第2编程电压,

在所述第3编程动作中,向所述第1配线供给大于所述第2编程电压的第3编程电压,

在所述第4编程动作中,向所述第1配线供给大于所述第3编程电压的第4编程电压。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中

所述控制电路

在所述第1编程动作之后且所述第2编程动作之前执行的第1验证动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给大于所述第2位线电压的第4位线电压,向所述第1配线供给小于所述第1编程电压的验证电压,

在所述第2编程动作之后且所述第3编程动作之前执行的第2验证动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给所述第4位线电压,向所述第1配线供给所述验证电压,

在所述第3编程动作之后且所述第4编程动作之前执行的第3验证动作中,向所述第1位线及所述第2位线供给所述第1位线电压,向所述第1配线供给所述验证电压。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,具备

第3存储器串,包含第3存储单元;及

第3位线,连接于所述第3存储器串;且

所述第1字线连接于所述第3存储单元,

所述控制电路电连接于所述第3位线,

所述控制电路

在所述第1验证动作中,向所述第3位线供给所述第4位线电压,

在所述第2验证动作中,向所述第3位线供给所述第4位线电压,

在所述第3验证动作中,向所述第3位线供给所述第1位线电压。

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