[发明专利]纳米线晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种制作纳米线晶体管的方法，其特征在于，包含：

形成通道结构于基底上，其中该通道结构包含多个第一半导体层及多个第二半导体层交错堆叠；

形成栅极结构于该通道结构上；以及

形成源极/漏极结构于该栅极结构旁，其中该源极/漏极结构包含石墨烯。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成第一间隙壁于该栅极结构旁；

去除部分该多个第一半导体层；

形成第二间隙壁于该多个第一半导体层旁；

形成该源极/漏极结构于该第二间隙壁及该多个第二半导体层旁；

去除该栅极结构以形成第一凹槽；

去除该多个第一半导体层以形成第二凹槽于该多个第二半导体层间；

形成功函数金属层于该第一凹槽及该第二凹槽内；

形成层间介电层环绕该栅极结构；以及

形成接触插塞于该层间介电层内并电连接该源极/漏极结构。

3.如权利要求2所述的方法，其中该第一间隙壁侧壁切齐该第二间隙壁侧壁。

4.如权利要求2所述的方法，其中该第一间隙壁侧壁切齐该多个第二半导体层侧壁。

5.如权利要求2所述的方法，其中该接触插塞包含石墨烯。

6.如权利要求2所述的方法，另包含：

形成接触洞于该层间介电层内；

形成硅化金属层于该接触洞内；

形成石墨烯层于该硅化金属层上；

形成阻障层于该石墨烯层上；

形成金属层于该阻障层上；以及

平坦化该金属层、该阻障层以及该石墨烯层以形成该接触插塞。

7.一种纳米线晶体管，其特征在于，包含：

通道结构，设于基底上；

栅极结构，设于该通道结构上并环绕该通道结构；以及

源极/漏极结构，设于该栅极结构两侧，其中该源极/漏极结构包含石墨烯。

8.如权利要求7所述的纳米线晶体管，其中该通道结构是选自由硅、锗、掺杂硅、掺杂锗以及锗化硅所构成的群组。

9.如权利要求7所述的纳米线晶体管，另包含间隙壁于该栅极结构旁，其中该间隙壁侧壁切齐该通道结构侧壁。

10.如权利要求7所述的纳米线晶体管，另包含：

层间介电层，环绕该栅极结构；以及

接触插塞，在该层间介电层内并电连接该该源极/漏极结构，其中该接触插塞包含石墨烯。

11.如权利要求7所述的纳米线晶体管，其中该接触插塞另包含：

硅化金属层，设于该源极/漏极结构上；

石墨烯层，设于该硅化金属层上；

阻障层，设于该石墨烯层上；以及

金属层，设于该阻障层上。

12.一种纳米线晶体管，其特征在于，包含：

通道结构，设于基底上；

栅极结构，设于该通道结构上并环绕该通道结构；

源极/漏极结构，设于该栅极结构两侧；

层间介电层，环绕该栅极结构；以及

接触插塞，设于该层间介电层内并电连接该源极/漏极结构，其中该接触插塞包含石墨烯。

13.如权利要求12所述的纳米线晶体管，其中该源极/漏极结构包含外延层。

14.如权利要求12所述的纳米线晶体管，其中该通道结构是选自由硅、锗、掺杂硅、掺杂锗以及锗化硅所构成的群组。

15.如权利要求12所述的纳米线晶体管，另包含间隙壁于该栅极结构旁，其中该间隙壁侧壁切齐该通道结构侧壁。

16.如权利要求12所述的纳米线晶体管，其中该接触插塞另包含：

硅化金属层，设于该源极/漏极结构上；

石墨烯层，设于该硅化金属层上；

阻障层，设于该石墨烯层上；以及

金属层，设于该阻障层上。