[发明专利]一种新型瞬态响应增强LDO在审
申请号: | 202110102480.2 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN112732000A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 倪灿灿 | 申请(专利权)人: | 灿芯半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 苏州创策知识产权代理有限公司 32322 | 代理人: | 颜海良 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 瞬态 响应 增强 ldo | ||
1.一种新型瞬态响应增强LDO,包括误差放大器EA、调整管MP、反馈电阻网络RA和RB、反馈电容CA以及负载电容CL和负载电阻Rout,其特征在于:误差放大器EA和调整管MP的栅极之间连接有用于增强负载瞬态响应的瞬态响应增强电路TRANSIENT ENHANGCE,所述TRANSIENT ENHANGCE包括迟滞比较器、ONE_SHOT以及两个NMOS管MN1、MN2;迟滞比较器的输入端VP、VN对误差放大器EA的输入差分对管的漏极电压进行采集比较,得到的比较结果通过ONE_SHOT消除毛刺后,再通过NMOS管对调整管MP的栅极电压进行调节。
2.根据权利要求1所述的一种新型瞬态响应增强LDO,其特征在于:所述误差放大器EA包括M1-M10,其中M1-M4的衬底、M1-M3的源极接输入电压VIN;M4的源极与M2的源极相连,M1的栅极和漏极与M3的栅极、M7的漏极相连;M2和M4的栅极分别与外部供给的偏置BIAS1、BIAS2相连;M4的漏极与M5、M6的源极及衬底相连,M5、M6的栅极分别与INP、INN两个输入相连;M5的漏极、M8的漏极和栅极与M7的栅极相连并与迟滞比较器的VP端相连;M6的漏极、M9的漏极和栅极与M10的栅极相连并与迟滞比较器的VN端相连;M3、M10的漏极相连并作为误差放大器EA的输出与所述调整管MP的栅极以及TRANSIENT ENHANGCE的输出相连;M7-M10的源极和衬底接地;调整管MP的源极和衬底接输入电压VIN,漏极与RA、CA、CL、Rout的一端相连并作为输出端输出电压VOUT;RA、CA并联后与RB相连并作为FB端与INN相连;RB、CL、Rout的另一端均接地。
3.根据权利要求2所述的一种新型瞬态响应增强LDO,其特征在于:所述迟滞比较器和ONE_SHOT的电源电压均为输入电压VIN,迟滞比较器的输出端接ONE_SHOT的输入端,ONE_SHOT的输出端与MN1的栅极连接;MN1的漏极作为TRANSIENT ENHANGCE的输出与调整管MP的栅极连接,MN1的源极与MN2的漏极相连;MN2的栅极接外部供给的偏置BIAS,MN1、MN2的衬底以及MN2的源极均接地。
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