[发明专利]一种磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调制方法

权利要求书

1.一种磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调制方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤一、搭建磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调控装置；

具体包括：激光器通过法兰耦合光纤一端，光纤搭载在核心组件上方，光纤另一端通过法兰连接光探测器，最终光探测器连接示波器；

所述的核心组件包括：纳米球，回音壁腔，天线和微波信号发生器；

在回音壁腔外侧的上方安装两个伸缩支架，支架上搭载光纤，通过调整伸缩支架的长度，进而调整光纤与回音壁腔之间的间距；同时，回音壁腔下方放置在位移器上，通过移动位移器，带动回音壁腔上下移动，从而调整回音壁腔与光纤的间距；

在回音壁腔一侧放置纳米球，纳米球与回音壁腔之间设有间隔，纳米球也放置在位移器上，通过移动纳米球的位移器，从而调整纳米球与回音壁腔的间隔；同时，纳米球设置在光纤的传输范围之外；

微波信号发生器通过信号线缆连接天线，将微波信号经天线传输到纳米球和回音壁腔内，同时在核心组件外加电磁铁，使得核心组件位于磁场的范围内；

步骤二、通过位移器移动纳米球，使纳米球位于回音壁腔的倏逝场范围内；

步骤三、打开激光器，激光输入回音壁腔后，由于纳米球的散射作用，在示波器能看到光学腔模式劈裂，通过不断调整纳米球和回音壁腔，直到出现明显劈裂，记录此时示波器上明显劈裂对应的低频值w1和高频值w2；

步骤四、固定纳米球和回音壁腔的位置，打开指定强度为b的磁场，再次记录此时劈裂的低频值w1'和高频值w2'，并计算磁场频移转化系数v；

v＝(w1'-w1)/b

步骤五、利用磁场频移转化系数v，根据待调制的共振频率w，计算要输入的磁场强度p，即实现共振频率的调控；

要输入的磁场强度为：p＝(w-w1)/(2v)。

2.如权利要求1所述的一种磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调制方法，其特征在于，步骤一中所述的纳米球材料采用钇铁石镏石，氟化铁或掺Bi稀土铁石榴石头中的一种。

3.如权利要求1所述的一种磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调制方法，其特征在于，步骤一中所述的回音壁腔在几何上是盘状，球状，微环，微环芯或柱状结构，其材料采用二氧化硅、硅、氮化硅、铌酸锂、氮化铝、氮化镓或锗中的一种。

4.如权利要求1所述的一种磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调制方法，其特征在于，步骤二中所述纳米球与回音壁腔的距离为100nm。

5.如权利要求1所述的一种磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调制方法，其特征在于，所述步骤四替换为：打开指定强度为b的磁场，利用高频值计算磁场频移转化系数v；

v＝(w2'-w2)/b。

6.如权利要求1所述的一种磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调制方法，其特征在于，所述步骤四中，将磁场强度为b的磁场，替换成打开微波信号发生器并指定微波场强度b'，计算微波场频移转化系数。

7.如权利要求6所述的一种磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调制方法，其特征在于，所述步骤四中，微波场下的频移转化系数用低频值计算。

8.如权利要求1所述的一种磁光纳米球的回音壁微腔共振频率调制方法，其特征在于，所述步骤五替换为：利用微波频移转化系数，根据给出的待调制共振频率，计算要输入的微波场强度，实现共振频率的调控。