[发明专利]低介电损耗高储能密度的结构紧密的硼酸盐玻璃陶瓷、制备方法及应用有效
申请号: | 202110102830.5 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN113461335B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 蒲永平;杜欣怡;彭鑫;李润;张倩雯;陈敏;张金波 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C03C10/00 | 分类号: | C03C10/00;C03B32/02;C03B25/00;C03B19/02;C03B5/16;C03B1/00 |
代理公司: | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人: | 刘华 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低介电 损耗 高储能 密度 结构 紧密 硼酸盐 玻璃 陶瓷 制备 方法 应用 | ||
1.一种低介电损耗高储能密度的结构紧密的硼酸盐玻璃陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
按化学式1-
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)按照1-
2)将步骤1)中的混合物加热至1350~1400oC形成混合均匀的熔体;将熔体倒入400~500oC预热的模具成型,得到玻璃样品,再对玻璃样品在450~550 oC保温1~2 h进行退火处理;
3)将经过退火处理的玻璃样品进行晶化处理,晶化制度是800oC保温,保温总时间为2h,得到1-
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤3)包括:将经过退火处理的玻璃样品进行晶化处理,以2oC /min升温至200oC再以3oC /min升温至500oC,最终再以5oC/min升温至800oC保温,保温总时间为2 h。
4.权利要求1-3任一项所述方法得到的低介电损耗高储能密度的结构紧密的硼酸盐玻璃陶瓷材料。
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