[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110103244.2 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113130397A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴琬瑶;温明璋;张长昀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：
形成一栅极结构于一基板上；
形成一层间介电结构以围绕该栅极结构；
形成一第一开口于该栅极结构与该层间介电结构中，其中该第一开口具有该栅极结构中的一第一部分，以及该层间介电结构中的一第二部分，且该第一部分的宽度大于该第二部分的宽度；
沉积一介电层于该第一开口中，其中该第一开口的该第一部分维持开放，而该介电层填入该第一开口的该第二部分；以及
形成一第二开口于该第一开口上，其中该栅极结构中的该第二开口的深度大于该栅极结构中的该第一开口的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
