[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制备方法有效

申请号：	202110103258.4	申请日：	2021-01-26
公开（公告）号：	CN112951955B	公开（公告）日：	2023-03-14
发明（设计）人：	刘旺平;梅劲;葛永晖;刘春杨;张武斌	申请（专利权）人：	华灿光电（浙江）有限公司
主分类号：	H01L33/06	分类号：	H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00
代理公司：	北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138	代理人：	吕耀萍
地址：	322000 浙江省***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	紫外发光二极管外延及其制备方法
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【说明书】：

本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。p型AlGaN层上层叠包括氮极性AlGaN子层与镓极性AlGaN子层的p型复合欧姆接触层，氮极性AlGaN子层的极性与p型AlGaN层的极性相反，二者所产生的耗尽电场和外延层中自发产生的极化电场的方向相同，缩短耗尽区的宽度，获得低欧姆接触电阻，较低开启电压有利于缓解量子限制斯塔克效应，提高紫外发光二极管的发光效率。稳定的镓极性AlGaN子层作为过渡层连接p型AlGaN层与后续的电极或其他外延结构，有效提高p型复合欧姆接触层整体的质量，最终得到的紫外发光二极管的发光效率得到有效提高。

技术领域

本公开涉及到了发光二极管技术领域，特别涉及到一种紫外发光二极管外延片及其制备方法。

背景技术

紫外发光二极管是一种用于光固化的发光产品，常用于食物封口材料固化、医用胶固化等，紫外发光二极管外延片则是用于制备紫外发光二极管的基础结构。紫外发光二极管外延片通常包括衬底及衬底上生长的n型AlGaN层、GaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN层及p型GaN欧姆接触层。

p型GaN欧姆接触层所需的空穴的激活能较低，可以提高空穴的激活效率，但是氮化镓材料对紫外光有吸收，不利于紫外光的提取，导致紫外发光二极管的出光效率较低。

发明内容

本公开实施例提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，可以有效提高紫外发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供可一种紫外发光二极管外延片，所述紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型AlGaN层、GaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN层及p型复合欧姆接触层，

所述p型复合欧姆接触层包括依次层叠的氮极性AlGaN子层与镓极性AlGaN子层，所述氮极性AlGaN子层包括多个间隔分布在所述p型AlGaN层上的氮极性AlGaN凸起，所述镓极性AlGaN子层覆盖所述氮极性AlGaN凸起与所述p型AlGaN层。

可选地，所述氮极性AlGaN凸起呈垂直于所述p型AlGaN层表面的柱状，每个所述氮极性AlGaN凸起的高度为20～50nm。

可选地，每个所述氮极性AlGaN凸起的直径为50～150nm。

可选地，多个所述氮极性AlGaN凸起均匀分布在所述p型AlGaN层上，相邻的两个所述氮极性AlGaN凸起之间的距离为150～300nm。