[发明专利]封装结构及其形成方法

说明书

本发明公开了一种封装结构及其形成方法，该封装结构包括：基板，具有第一焊盘；再分布层，具有第二焊盘；以及连接层，将所述基板与所述再分布层接合。其中，所述连接层连接所述第一焊盘与所述第二焊盘，所述连接层的热吸收系数大于所述第一焊盘或所述第二焊盘的热吸收系数。上述技术方案能够将连接通孔缩小，借此可以达到应用至高阶产品的需求。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种封装结构及其形成方法。

背景技术

随着晶圆封装技术的纯熟和竞争，不仅体积越来越小，功能也越来越多。业界趋势逐渐往SiP封装(System In aPackage系统级封装)、3D(三维)的方向不断演进，随之不仅I/O数不断提高之外节距(pitch)也越来越小。

由于基板层数越来越多使得良率变低之外，成本也随之大增。现有的一种做法是用RDL(Redistribution Layer，再分布层)来做细线路，通过粘合层(adhesion layer)与基板接合，借以降低成本。但是通常需要执行镭射通孔来贯穿再分布层(RDL)和基板，除了成本高之外，镭射通孔也有其节距限制，考虑到后续可靠度测试可以允许的最小尺寸为60μm，再小则会有可靠度不良的疑虑。即便直接Cu-Cu对接，因为镀Ni-Cu-SnAg的最小限制约为50μm，也存在无法适用于RDL 25μm的情况。

发明内容

针对相关技术中RDL 25um的对接问题，本发明提出一种封装结构及其形成方法，能够将连接通孔缩小，借此可以达到应用至高阶产品的需求。

本发明的技术方案是这样实现的：

根据本发明的一个方面，提供了一种封装结构，包括：基板，具有第一焊盘；再分布层，具有第二焊盘；连接层，将基板与再分布层接合。其中，连接层连接第一焊盘与第二焊盘，连接层的热吸收系数大于第一焊盘或第二焊盘的热吸收系数。

根据本发明的实施例，连接层的材料包括Ta、Fe、Ni或其组合。

根据本发明的实施例，封装结构还包括底部填充物，底部填充物填充在基板与再分布层之间，并且围绕第一焊盘、第二焊盘以及第一焊盘和第二焊盘之间的连接层。

根据本发明的实施例，第一焊盘的邻近连接层的区域为掺杂区。掺杂区的晶格大于第一焊盘的其他区域的晶格。

根据本发明的实施例，第二焊盘的邻近连接层的区域为掺杂区。掺杂区的晶格大于第二焊盘的其他区域的晶格。

根据本发明的实施例，再分布层还具有连接于第二焊盘上方的通孔。通孔的最大宽度不大于25μm。

根据本发明的实施例，第一焊盘或第二焊盘的材料为Cu。

根据本发明的另一方面，提供了一种形成封装结构的方法，包括：在基板的第一焊盘上方形成高热吸收系数材料；在基板上方堆叠具有第二焊盘的再分布层，其中，第二焊盘接合至高热吸收系数材料，高热吸收系数材料的热吸收系数大于第一焊盘或第二焊盘的热吸收系数；以及进行微波加热，以将高热吸收系数材料扩散进入第一焊盘或第二焊盘。

根据本发明的实施例，形成高热吸收系数材料包括：采用狭缝涂布来涂布高热吸收系数材料。

根据本发明的实施例，进行微波加热包括：在200℃的温度下进行微波加热。

根据本发明的实施例，在进行微波加热之后，将第一焊盘的邻近高热吸收系数材料的区域形成为掺杂区。

根据本发明的实施例，掺杂区的晶格大于第一焊盘的其他区域的晶格。

根据本发明的实施例，在进行微波加热之后，将第二焊盘的邻近高热吸收系数材料的区域形成为掺杂区。

根据本发明的实施例，掺杂区的晶格大于第二焊盘的其他区域的晶格。