[发明专利]一种基板三维堆叠工艺方法在审
申请号: | 202110103878.8 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN112951730A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 刘迅;石成杰;王代兴;张鹏哲 | 申请(专利权)人: | 北京遥感设备研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人: | 张国虹 |
地址: | 100854*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 堆叠 工艺 方法 | ||
1.一种基板三维堆叠工艺方法,其特征在于,所述方法的步骤为:
第一步、上基板植球,准备表面带焊盘的陶瓷基板,陶瓷基板表面焊盘镀Ni,镀Au,在上基板(100)上印刷焊膏(202),丝印网板(201)开孔比上基板焊盘(103)直径小,采用植球漏板(101)在已经印刷焊膏的上基板(100)上进行漏球,获得植好焊球(102)的植球中间产品,植球漏板(101)开孔比焊球(102)直径大;
第二步、上基板真空回流焊,将植好焊球(102)的上基板(100)置于七温区真空回流焊炉中进行真空回流焊接,将焊球(102)固定在上基板(100)上;
第三步、下基板印刷焊膏,准备表面带焊盘的陶瓷基板,要求表面焊盘镀Ni,镀Au,焊盘比焊球直径小;在下基板(200)上印刷焊膏(202),丝印网板(201)开孔比下基板焊盘(203)直径小;
第四步、上下基板堆叠,采用倒装焊设备,将第二步完成植球并经过回流焊工艺处理的上基板(100)与第三步印刷好焊膏(202)的下基板(200)进行堆叠;
第五步、堆叠基板真空回流焊,将第四步堆叠好的基板置于七温区真空回流焊炉中进行真空回流焊接,获得堆叠焊点(300)。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第一步、上基板植球中,
准备表面带焊盘的陶瓷基板,要求表面焊盘镀Ni:1.5μm~2μm,镀Au:0.5μm~1μm,焊盘尺寸为焊球直径的70%~90%;焊球(102)直径为200μm~500μm;采用丝印网板(201)在上基板(100)上印刷焊膏(202),丝印网板(201)开孔尺寸为上基板焊盘(103)直径的90%,丝印网板(201)厚度为0.15mm;采用植球漏板(101)在已经印刷焊膏的上基板(100)上进行漏球,获得植好焊球(102)的植球中间产品,植球漏板(101)开孔尺寸为焊球(102)直径的105%,植球漏板(101)厚度为0.2mm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第二步、上基板真空回流焊,
将植好焊球(102)的上基板(100)置于七温区真空回流焊炉中进行真空回流焊接,将焊球(102)固定在上基板(100)上;回流焊接后焊球(102)高度不小于真空回流焊接前高度的80%;焊接空洞率小于15%;植球精度优于±10μm;强度满足GJB7677-2012剪切试验要求;
真空回流焊接工艺如下:第一温区温度设置范围为:125℃~135℃,第二温区温度设置范围为:160℃~175℃,第三温区温度设置范围为:195℃~205℃,第四温区温度设置范围为:218℃~222℃,第五温区温度设置范围为:228℃~240℃,第六温区温度设置范围为:265℃~275℃,第七温区温度设置范围为:265℃~278℃;链速:0.3~0.7m/min;风速:0.8~1.7,针对SMT设备型号:SMT Vacuum Reflow System M;真空区间停留时间:35~60s。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第三步、下基板印刷焊膏,
准备表面带焊盘的陶瓷基板,要求表面焊盘镀Ni:1.5μm~2μm,镀Au:0.5μm~1μm,焊盘尺寸为焊球直径的70%~90%;焊球为良好导电性金属材料,焊球直径为200μm~500μm;采用丝印网板(201)在下基板(200)上印刷焊膏(202),丝印网板(201)开孔尺寸为下基板焊盘(203)直径的90%,丝印网板(201)厚度为0.15mm。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第四步、上下基板堆叠,
采用倒装焊设备,将第二步完成植球并经过回流焊工艺处理的上基板(100)与第三步印刷好焊膏(202)的下基板(200)进行堆叠,基板堆叠精度优于±10μm。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第五步、堆叠基板真空回流焊,其中,
将第四步堆叠好的基板置于七温区真空回流焊炉中进行真空回流焊接,获得堆叠焊点(300);堆叠焊点(300)焊接空洞率小于15%;上基板(100)与下基板(200)堆叠精度优于±20μm;堆叠焊点(300)高度不小于第二步完成植球并经过回流焊工艺处理的上基板(100)上焊球(102)高度的80%;焊点强度满足GJB548B-2005 2031要求;
真空回流焊接工艺如下:第一温区温度设置范围为:125℃~132℃,第二温区温度设置范围为:160℃~170℃,第三温区温度设置范围为:195℃~200℃,第四温区温度设置范围为:218℃~222℃,第五温区温度设置范围为:228℃~235℃,第六温区温度设置范围为:265℃~270℃,第七温区温度设置范围为:265℃~270℃;链速:0.5~0.9m/min;风速:0.8~1.7,针对SMT设备型号:SMT Vacuum Reflow System M;真空区间停留时间:25~50s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造