[发明专利]形成包括钒或铟层的结构的方法

权利要求书

1.一种形成结构的方法，所述方法包括以下步骤：

将衬底提供至反应器的反应室内；并且

使用循环沉积工艺，将包含钒和铟中的一种或多种的层沉积至所述衬底的表面上，

其中所述循环沉积工艺包含：

将钒前体和铟前体中的一种或多种提供至所述反应室中；并且

将氧反应物、氮反应物、硫反应物和碳反应物中的一种或多种提供至所述反应室中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述钒前体包含以下中的一种或多种：卤化钒、卤氧化钒、钒有机金属化合物和钒金属有机化合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述铟前体包含以下中的一种或多种：烷基铟化合物、环戊二烯基铟化合物、β-二酮铟化合物和乙酸铟化合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构包含阈值电压调谐层，其包括所述含钒和铟中的一种或多种的层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构包含p偶极移位器层，其包括所述含钒和铟中的一种或多种的层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构包含环栅结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述环栅结构包括高k介电层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积工艺包含循环化学气相沉积工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积工艺包含热工艺。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述含钒和铟中的一种或多种的层的厚度在约0.1nm与约5nm之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述钒前体和铟前体中的一种或多种包含卤化物并且所述将氧反应物、氮反应物、硫反应物和碳反应物中的一种或多种提供至所述反应室中的步骤包含提供所述氧反应物。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述钒前体包含β-二酮化合物。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应物包含所述氧反应物。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构包含阻隔层，其包括所述含钒和铟中的一种或多种的层。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构包含蚀刻终止层，其包括所述含钒和铟中的一种或多种的层。

16.一种根据权利要求1所述的方法形成的结构，其包括含钒和铟中的一种或多种的层。

17.根据权利要求16所述的结构，其包含覆盖在半导体材料上方的高k介电层。

18.根据权利要求17所述的结构，其中所述含钒和铟中的一种或多种的层覆盖在所述高k介电层上方并与所述高k介电层接触。

19.根据权利要求16所述的结构，其中所述含钒和铟中的一种或多种的层的厚度小于5nm。

20.根据权利要求16所述的结构，其中所述含钒和铟中的一种或多种的层包含氮化钒和碳氮化钒中的一种或多种。

21.一种环栅结构，其包含根据权利要求16所述的结构。

22.根据权利要求21所述的环栅装置，其中所述含钒和铟中的一种或多种的层包含氧化钒和氧化铟中的一种或多种。