[发明专利]一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备

权利要求书

1.一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，包括依次设置在同一镀膜腔内的AZO镀膜区(30)及SiN镀膜区(50)，以及对应所述AZO镀膜区(30)及SiN镀膜区(50)的链式传输机构，装载有硅片的载板平躺在所述链式传输机构上依次经过所述AZO镀膜区(30)及SiN镀膜区(50)。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，所述AZO镀膜区(30)的入料端还设置有装载腔(20)，所述SiN镀膜区(50)的出料端还设置有卸载腔(60)。

3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，所述装载腔(20)的入料端还设置有硅片自动化上料机构(10)，所述卸载腔(60)的出料端还设置有硅片自动化下料机构(70)。

4.根据权利要求3所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，所述上料机构(10)和下料机构(70)分别设置在镀制设备的两端或同一端。

5.根据权利要求4所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，所述上料机构(10)与下料机构(70)之间还设置有载板回转机构(80)。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，所述AZO镀膜区(30)及SiN镀膜区(50)之间还设置有过渡腔(40)。

7.根据权利要求1所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，所述AZO镀膜区(30)和SiN镀膜区(50)内均采用PVD工艺以实现AZO和SiN薄膜的镀制。

8.根据权利要求1所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，所述AZO镀膜区(30)内采用PVD工艺以实现AZO薄膜的镀制，且所述SiN镀膜区(50)内采用PECVD工艺以实现SiN薄膜的镀制。

9.根据权利要求7或8所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，AZO镀膜时，采用至少一组AZO靶材，载气采用氩气或其它惰性气体。

10.根据权利要求7或8所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，SiN镀膜时，采用至少一组硅靶材，用旋转式磁控溅射方法，载气用氩气或其它惰性气体，同时适量通入NH₃，在真空环境中，溅射产生的硅和在溅射等离子体中分解的NH₃形成SiN，在硅片表面形成SiN膜。

11.根据权利要求10所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，通入NH₃并通入H₂和N₂，且NH₃、H₂和N₂预先混合导入或分别导入。

12.根据权利要求10所述的一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，其特征在于，硅靶材里掺入其它元素，以增加其导电性且更利于溅射。

13.一种太阳能电池，其特征在于，具有基于权利要求1所述的镀制设备制备而成的AZO+SiN叠层保护膜。