[发明专利]一次性写入存储器单元在审

专利信息
申请号: 202110104330.5 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN113113411A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 苏信文;林祐宽;林士豪;洪连嵘;王屏薇 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/112 分类号: H01L27/112
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一次性 写入 存储器 单元
【权利要求书】:

1.一种一次性写入存储器单元,包括:

一读取晶体管,包括一读取介电层和覆盖上述读取介电层的一读取栅极电极;以及

一写入晶体管,相邻于上述读取晶体管,其中上述写入晶体管包括一写入介电层和覆盖上述写入介电层的一写入栅极电极,

其中上述写入晶体管的一崩溃电压小于上述读取晶体管的一崩溃电压。

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