[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110104648.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113161462B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，其特征在于，
所述发光二极管外延片还包括位于所述低温缓冲层和所述高温缓冲层之间的插入层，所述插入层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为石墨烯层，所述第二子层为多个周期交替生长的Al膜和Ag膜。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度为10～30nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中与所述第一子层接触的一层为Al膜，所述第二子层中与所述高温缓冲层接触的一层为Al膜。
4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中包括交替生长的n+1层Al膜和n层Ag膜，5≤n≤20。
5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中每层Al膜的厚度为1～10nm，每层Ag膜的厚度为1～10nm。
6.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括生长在所述衬底和所述低温缓冲层之间的应力释放层，所述应力释放层为石墨烯层。
7.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长低温缓冲层；
在所述低温缓冲层上生长插入层，所述插入层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为石墨烯层，所述第二子层为多个周期交替生长的Al膜和Ag膜；
在所述插入层上依次生长高温缓冲层、N型层、有源层和P型层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述衬底和所述低温缓冲层之间生长应力释放层，所述应力释放层为石墨烯层。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二子层中Al膜和Ag膜的生长速率均为0.2～0.5nm/s。
10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二子层的沉积温度为500～800℃。
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