[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110104662.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113161453B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层和有源层，其特征在于，
所述发光二极管外延片还包括依次层叠在所述有源层上的多个周期交替生长的电子阻挡层和P型层，每个所述电子阻挡层均为AlGaN层，沿所述外延片的层叠方向，各周期的所述电子阻挡层中的Al组分逐渐降低，厚度逐渐减小，各周期的所述P型层中的Mg的掺杂浓度逐渐升高；
所述多个周期交替生长的电子阻挡层和P型层包括：
依次层叠在所述有源层上的第一电子阻挡层、第一P型层、第二电子阻挡层、第二P型层、第三电子阻挡层和第三P型层；
所述第一P型层、所述第二P型层和所述第三P型层均为掺Mg的GaN层，所述第一P型层中Mg的掺杂浓度为5*1017cm-3~2*1018cm-3，所述第一P型层的厚度为15~25nm，所述第二P型层中Mg的掺杂浓度为5*1018cm-3~5*1019cm-3，所述第二P型层的厚度为10~20nm，所述第三P型层中Mg的掺杂浓度为1*1020cm-3~6*1020cm-3，所述第三P型层的厚度为2~8nm。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述电子阻挡层中的Al组分的变化范围为0.1~0.4。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述电子阻挡层中的Al组分的降低幅度为0.05~0.25。
4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述电子阻挡层的厚度的变化范围为1~20nm。
5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述电子阻挡层的厚度的降低幅度为5~15nm。
6.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层和有源层；
在所述有源层上生长多个周期交替生长的电子阻挡层和P型层，每个所述电子阻挡层均为AlGaN层，沿所述外延片的层叠方向，各周期的所述电子阻挡层中的Al组分逐渐降低，厚度逐渐减小，各周期的所述P型层中的Mg的掺杂浓度逐渐升高；
所述多个周期交替生长的电子阻挡层和P型层包括：
依次层叠在所述有源层上的第一电子阻挡层、第一P型层、第二电子阻挡层、第二P型层、第三电子阻挡层和第三P型层；
所述第一P型层、所述第二P型层和所述第三P型层均为掺Mg的GaN层，所述第一P型层中Mg的掺杂浓度为5*1017cm-3~2*1018cm-3，所述第一P型层的厚度为15~25nm，所述第二P型层中Mg的掺杂浓度为5*1018cm-3~5*1019cm-3，所述第二P型层的厚度为10~20nm，所述第三P型层中Mg的掺杂浓度为1*1020cm-3~6*1020cm-3，所述第三P型层的厚度为2~8nm。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，多个所述电子阻挡层的生长温度均为930~970℃，生长压力均为100~200torr。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，多个所述P型层的生长温度均为940~980℃，生长压力均为200~600torr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110104662.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管外延片及其制造方法
- 下一篇：红外发光二极管外延片及其制备方法
