[发明专利]红外发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110104663.8 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113161458B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李彤;王世俊;邢振远 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种红外发光二极管外延片，其特征在于，所述红外发光二极管外延片包括半绝缘砷化镓衬底及依次层叠在所述半绝缘砷化镓衬底上的第一本征GaAs层、p型GaAs层、第二本征GaAs层、n型扩展层、n型限制层、n面波导层、多量子阱层、p面波导层、p型限制层、p型扩展层及p型接触层，
所述p型GaAs层的厚度与所述第一本征GaAs层的厚度之比为0.2~1，所述第二本征GaAs层的厚度与所述第一本征GaAs层的厚度之比为1.8~2，所述第二本征GaAs层的厚度与所述p型GaAs层的厚度之比为2~10。
2.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述p型GaAs层中p型杂质的浓度为1E16~1E17cm-3。
3.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述p型GaAs层中的p型杂质为碳。
4.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述n型扩展层为n型GaAs材料。
5.一种红外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述红外发光二极管外延片制备方法包括：
提供一半绝缘砷化镓衬底；
在所述砷化镓衬底上依次生长第一本征GaAs层、p型GaAs层、第二本征GaAs层、n型扩展层，n型限制层，n面波导层，多量子阱层，p面波导层，p型限制层，p型扩展层，p型接触层，
所述p型GaAs层的厚度与所述第一本征GaAs层的厚度之比为0.2~1，所述第二本征GaAs层的厚度与所述第一本征GaAs层的厚度之比为1.8~2，所述第二本征GaAs层的厚度与所述p型GaAs层的厚度之比为2~10。
6.根据权利要求5所述的红外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一本征GaAs层的生长温度为660~680℃，所述第一本征GaAs层的生长压力为45mbar~50mbar。
7.根据权利要求5所述的红外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述p型GaAs层的生长温度为660~680℃，所述p型GaAs层的生长压力为45mbar~50mbar。
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