[发明专利]一种可调控Ho离子正交发光特性的纳米材料及其制备方法有效
申请号: | 202110104878.X | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN112779011B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 张勇;扶帅;刘金亮;朱晓辉;吴钇翰 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C09K11/85 | 分类号: | C09K11/85;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人: | 孙明科 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调控 ho 离子 正交 发光 特性 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种可调控Ho离子正交发光特性的纳米材料,其特征在于,其是由Yb、Ho、Ce和Nd共掺杂形成的核壳结构上转换纳米颗粒UCNPs,其化学表达式为NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb;该上转换纳米颗粒UCNPs由内向外包括:发光中心内核、包覆在该内核外表面的第一壳层结构、包覆在第一壳层结构外表面的第二壳层结构;该上转换纳米颗粒UCNPs在近红外光980nm激发下发出650波长主导的红光,在近红外光808nm激发下发出540波长主导的绿光;
所述的NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb纳米颗粒UCNPs,其发光中心内核的尺寸为30~40nm,其化学表达式为:NaYF4:x%Yb/y%Ho/z%Ce,其中,x的取值为10~30;y的取值为1~2%,z的取值为10~30;
所述的NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb纳米颗粒UCNPs,其第一壳层结构为惰性隔离层,其尺寸为40~50nm,其化学表达式为:NaYF4:x%Yb,x的取值为10~50;
所述的NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb纳米颗粒UCNPs,其第二壳层结构为808nm激光能量吸收层,尺寸为50~65nm,其化学表达式为:Na(x%Nd)F4:Yb,x的取值为50~90。
2.根据权利要求1所述的可调控Ho离子正交发光特性的纳米材料,其特征在于,所述的NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb纳米颗粒UCNPs,随着其包含的Ce离子掺杂量的增加而发生在980nm激发下Ho离子从绿色发光逐渐转变到红色发光,而在808nm激发下则导致绿色发光强度的逐渐增加。
3.一种制备权利要求1-2任一项所述可调控Ho离子正交发光特性的纳米材料的方法,其特征在于,其包括如下步骤:首先通过引入多种Ce离子掺杂比例制备出NaYF4:Yb/Ho/Ce绿光到红色转变发射的发光内核,然后在该发光内核的表面上诱导晶体外延生长NaYF4:10%Yb壳层,以增强红光发射强度,降低表面淬灭影响,形成核壳结构;再使NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb纳米晶体进一步生长出808nm激光能量吸收层NaNdF4:10%Yb第二壳层,最后形成Yb、Ho、Ce和Nd共掺杂的NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb核壳上转换纳米颗粒UCNPs。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,其包括如下具体步骤:
(1)NaYF4:Yb/Ho/Ce核层的制备
称取油酸、1-十八烯、氟化钠、稀土盐醋酸钇 、醋酸镱、醋酸钬,醋酸铈加入到三口烧瓶A中,磁力搅拌抽真空除水和氧气后,在氩气保护下以升温至300℃,反应1h;
(2)NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb核壳层的制备
称取油酸、1-十八烯、稀土盐醋酸钇、醋酸镱加入到三口烧瓶B中,磁力搅拌在氩气保护下升温至150℃,并在步骤a反应结束后,注入到三口烧瓶A中,保持300℃并继续反应1h;
(3)NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb核壳壳层的制备
称取油酸、1-十八烯、稀土盐醋酸钕、醋酸镱加入到三口烧瓶C中,磁力搅拌在氩气保护下升温至150℃,并在步骤b反应结束后,注入到三口烧瓶A中,保持300℃并继续反应1.5h,制得Yb、Ho、Ce和Nd共掺杂的NaYF4:Yb/Ho/Ce@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb核壳上转换纳米颗粒UCNPs。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110104878.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。