[发明专利]三维集成结构及其制造方法

权利要求书

1.一种三维集成结构的制造方法，其特征在于：

S01：提供第一硅衬底；

S02：在所述第一硅衬底设置第一隔离介质、第一底部金属电极层和第一顶部金属电极层，所述第一隔离介质将所述第一底部金属电极层和所述第一硅衬底分隔，制备成第一纳米电容；

S03：在所述第一顶部金属电极层上设置过渡层，然后在所述过渡层上设置第二硅衬底；

S04：在所述第二硅衬底开设第一连接孔，然后设置第二隔离介质、第二底部金属电极层和第二顶部金属电极层形成第二纳米电容，所述第一连接孔导通至所述第一底部金属电极层，所述第二底部金属电极层通过所述第一连接孔与所述第一底部金属电极层电连接，且所述第二隔离介质将所述第二底部金属电极层和所述第二硅衬底分隔；

S05：在所述第二纳米电容设置第二连接孔，所述第二连接孔导通至所述第一顶部金属电极层；

S06：设置第一导电件，所述第一导电件通过所述第二连接孔分别与所述第一顶部金属电极层和所述第二顶部金属电极层电连接。

2.根据权利要求1所述的三维集成结构的制造方法，其特征在于：

所述步骤S02中还设置有第一绝缘介质和所述第二隔离介质，预先在所述第一硅衬底上开设第一容纳槽，其中所述第一隔离介质、所述第一底部金属电极层、所述第一绝缘介质和所述第一顶部金属电极层依次设置在所述第一容纳槽和所述第一硅衬底的上表面，形成所述第一纳米电容；

接着在所述第一纳米电容上开设位于所述第一连接孔一端的第一凹槽，且所述第一凹槽的侧面为所述第一绝缘介质和所述第一顶部金属电极层的组合层，所述第一凹槽的底面为所述第一底部金属电极层；

所述步骤S03中所述过渡层的部分还设于所述第一凹槽内，并将所述第一凹槽填充。

3.根据权利要求1所述的三维集成结构的制造方法，其特征在于：

所述步骤S04中还设置有第二绝缘介质，预先在所述第二硅衬底开设第二容纳槽，然后在所述第二容纳槽、所述第二硅衬底表面以及所述第一连接孔的侧面先设置所述第二隔离介质，接着依次设置所述第二底部金属电极层、所述第二绝缘介质和所述第二顶部金属电极层，直至所述第二底部金属电极层、所述第二绝缘介质和所述第二顶部金属电极将所述第二容纳槽以及所述第二硅衬底的上表面覆盖。

4.根据权利要求2所述的三维集成结构的制造方法，其特征在于：

所述步骤S05中预先在所述第二纳米电容上开设第二凹槽和第三凹槽，且所述第二凹槽位于所述第一连接孔的另一端，在所述第二凹槽内设置第三隔离介质，在所述第三凹槽内设置第四隔离介质，且设置所述第一连接孔的延伸孔导通所述第三隔离介质，所述第二连接孔通过所述第四隔离介质、所述第二硅衬底和所述过渡层导通至所述第一顶部金属电极层。

5.根据权利要求4所述的三维集成结构的制造方法，其特征在于：

所述步骤S06中还设置有第二导电件，所述第二导电件一端设于所述第一连接孔的延伸孔与所述第二底部金属电极层电连接，所述第二导电件另一端与所述第三隔离介质连接。