[发明专利]一种MiniLED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种MiniLED芯片及其制作方法，仅需要制备第一电极和第二电极即可，无需在第一电极和第二电极上再次制备其他电极结构，以及仅在刻蚀外延片、刻蚀透明导电材料层、刻蚀DBR层和绝缘钝化层的叠层和剥离电极时采用光刻工艺，进而减少了MiniLED芯片制作过程中的光刻次数，简化了制备工艺且降低了制备成本。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，更为具体地说，涉及一种MiniLED (Mini LightEmitting Diode，次毫米发光二极管)芯片及其制作方法。

背景技术

随着MiniLED显示技术的急剧发展，MiniLED产品已经运用到超清显示，例如高端影院，电视机，广告显示，手机屏幕，办公显示等。MiniLED定义为芯片尺寸介于75-200um的LED器件。现有的MiniLED芯片制备流程需要过多次数的光刻制程，使得其制备工艺复杂且成本高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种MiniLED芯片及其制作方法，有效地解决了现有技术存在的技术问题，减少了MiniLED芯片制作过程中的光刻次数，简化了制备工艺且降低了制备成本。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种MiniLED芯片的制作方法，包括：

提供一外延片，所述外延片包括依次叠加的衬底、第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述外延片的表面划分有环形区及位于所述环形区环绕范围中的第一区和第二区；

自所述第二半导体层一侧，通过光刻和刻蚀工艺，对所述外延片对应所述第一区处进行刻蚀直至裸露所述第一半导体层；

自所述第二半导体层一侧，通过光刻和刻蚀工艺，对所述外延片对应所述环形区处进行刻蚀直至裸露所述衬底；

在所述外延片具有所述第二半导体层一侧形成透明导电材料层，且通过光刻和刻蚀工艺，对所述透明导电材料层进行刻蚀形成位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的透明导电层；

形成覆盖所述外延片中除所述衬底背离所述透明导电层的表面和侧面外的所有裸露表面和侧面、及所述透明导电层裸露表面和侧面的绝缘钝化层；

在所述绝缘钝化层背离所述透明导电层一侧形成DBR层；

通过光刻和刻蚀工艺，对所述DBR层和所述绝缘钝化层的叠层进行刻蚀形成第一电极孔和第二电极孔，所述第一电极孔位于所述第一区且裸露所述第一半导体层，第二电极孔位于所述第二区且裸露所述透明导电层；

通过光刻和剥离工艺，在所述第一电极孔中形成与所述第一半导体层接触的第一电极，及在所述第二电极孔中形成与所述透明导电层接触的第二电极。

可选的，所述第一电极孔裸露所述第一半导体层的面积为所述环形区环绕面积的10％-30％；

及所述第二电极孔裸露所述透明导电层的面积为所述环形区环绕面积的 10％-30％。

可选的，通过光刻和剥离工艺，在所述第一电极孔中形成与所述第一半导体层接触的第一电极，及在所述第二电极孔中形成与所述透明导电层接触的第二电极，包括：

通过光刻和剥离工艺，在所述第一电极孔中形成与所述第一半导体层接触、且具有第一凹槽的第一电极，及在所述第二电极孔中形成与所述透明导电层接触、且具有第二凹槽的第二电极。

可选的，形成所述第一电极和所述第二电极后，还包括：

提供一封装基板，所述封装基板包括分别与所述第一凹槽和所述第二凹槽位置匹配的第一凸起和第二凸起；

将所述第一凸起和所述第二凸起分别对位插入所述第一凹槽和所述第二凹槽后焊接封装。