[发明专利]一种GaN器件及其生成方法、SiC衬底的剥离方法及其剥离装置在审

专利信息
申请号: 202110105119.5 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN112885723A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 周炳;翁加付;王源政;闵财荣 申请(专利权)人: 德兴市意发功率半导体有限公司
主分类号: H01L21/335 分类号: H01L21/335;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/80;H01L29/812;H01L29/778;H01L29/20;H01L21/02;H01L21/67;C30B25/18;C30B29/40
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 王丽
地址: 334200 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 gan 器件 及其 生成 方法 sic 衬底 剥离 装置
【权利要求书】:

1.一种GaN器件的生成方法,其特征在于,所述方法包括:

在SiC衬底上形成Nb2N层;

在所述Nb2N层上依次形成若干GaN器件层。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述Nb2N层上依次形成若干GaN器件层,包括:

在所述Nb2N层上依次形成AlN成核层、GaN缓冲层、势垒层和GaN沟道,形成基本的GaN器件;

在所述基本的GaN器件生长之后进行欧姆接触工艺制成欧姆电极;

对所述基本的GaN器件进行台面隔离;

在基本的GaN器件覆盖金属层,形成最终的GaN器件。

3.一种GaN器件中SiC衬底的剥离方法,所述GaN器件为基于权利要求1或2所述方法生成的GaN器件,其特征在于,所述方法包括:

去除所述GaN器件中的Nb2N层,剥离出所述GaN器件中的SiC衬底。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述去除所述GaN器件中的Nb2N层之前,所述方法还包括:

对所述GaN器件进行电屏蔽。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

将剥离出的所述SiC衬底转移到Si晶圆。

6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述GaN器件覆盖有镍金属硬掩模,所述去除所述GaN器件中的Nb2N层之前,所述方法还包括:

使用接触式或电子束光刻方式对所述镍金属硬掩模进行构图;

采用ICP干法刻蚀方式以刻蚀所述GaN器件的异质结构,露出SiC衬底并打开横向进入Nb2N层的通道;

在稀硝酸浴的作用下去除所述镍金属硬掩模;

使GaN器件经XeF2蚀刻以从SiC衬底释放所述GaN器件中的若干器件层。

7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述剥离出所述GaN器件中的SiC衬底,包括:

通过探针按压并固定到所述GaN器件的探针垫上,并将所述探针与对应的机械设备连接后,将所述GaN器件中的SiC衬底剥落。

8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述使GaN所述器件经XeF2蚀刻,具体为:

使GaN所述器件在100℃的温度和1.75托的压力下经XeF2蚀刻。

9.一种GaN器件,其特征在于,包括:

SiC衬底;

在SiC衬底上形成的Nb2N层;

在所述Nb2N层上依次形成的若干GaN器件层。

10.一种GaN器件中SiC衬底的剥离装置,其特征在于,所述装置包括:

剥离设备,用于去除所述GaN器件中的Nb2N层,剥离出所述GaN器件中的SiC衬底。

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