[发明专利]一种GaN器件及其生成方法、SiC衬底的剥离方法及其剥离装置

权利要求书

1.一种GaN器件的生成方法，其特征在于，所述方法包括：

在SiC衬底上形成Nb₂N层；

在所述Nb₂N层上依次形成若干GaN器件层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述Nb₂N层上依次形成若干GaN器件层，包括：

在所述Nb₂N层上依次形成AlN成核层、GaN缓冲层、势垒层和GaN沟道，形成基本的GaN器件；

在所述基本的GaN器件生长之后进行欧姆接触工艺制成欧姆电极；

对所述基本的GaN器件进行台面隔离；

在基本的GaN器件覆盖金属层，形成最终的GaN器件。

3.一种GaN器件中SiC衬底的剥离方法，所述GaN器件为基于权利要求1或2所述方法生成的GaN器件，其特征在于，所述方法包括：

去除所述GaN器件中的Nb₂N层，剥离出所述GaN器件中的SiC衬底。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除所述GaN器件中的Nb₂N层之前，所述方法还包括：

对所述GaN器件进行电屏蔽。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将剥离出的所述SiC衬底转移到Si晶圆。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述GaN器件覆盖有镍金属硬掩模，所述去除所述GaN器件中的Nb₂N层之前，所述方法还包括：

使用接触式或电子束光刻方式对所述镍金属硬掩模进行构图；

采用ICP干法刻蚀方式以刻蚀所述GaN器件的异质结构，露出SiC衬底并打开横向进入Nb₂N层的通道；

在稀硝酸浴的作用下去除所述镍金属硬掩模；

使GaN器件经XeF₂蚀刻以从SiC衬底释放所述GaN器件中的若干器件层。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述剥离出所述GaN器件中的SiC衬底，包括：

通过探针按压并固定到所述GaN器件的探针垫上，并将所述探针与对应的机械设备连接后，将所述GaN器件中的SiC衬底剥落。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述使GaN所述器件经XeF₂蚀刻，具体为：

使GaN所述器件在100℃的温度和1.75托的压力下经XeF₂蚀刻。

9.一种GaN器件，其特征在于，包括：

SiC衬底；

在SiC衬底上形成的Nb₂N层；

在所述Nb₂N层上依次形成的若干GaN器件层。

10.一种GaN器件中SiC衬底的剥离装置，其特征在于，所述装置包括：

剥离设备，用于去除所述GaN器件中的Nb₂N层，剥离出所述GaN器件中的SiC衬底。