[发明专利]一种GaN器件及其生成方法、SiC衬底的剥离方法及其剥离装置在审
申请号: | 202110105119.5 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN112885723A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 周炳;翁加付;王源政;闵财荣 | 申请(专利权)人: | 德兴市意发功率半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/335 | 分类号: | H01L21/335;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/80;H01L29/812;H01L29/778;H01L29/20;H01L21/02;H01L21/67;C30B25/18;C30B29/40 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 334200 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gan 器件 及其 生成 方法 sic 衬底 剥离 装置 | ||
1.一种GaN器件的生成方法,其特征在于,所述方法包括:
在SiC衬底上形成Nb2N层;
在所述Nb2N层上依次形成若干GaN器件层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述Nb2N层上依次形成若干GaN器件层,包括:
在所述Nb2N层上依次形成AlN成核层、GaN缓冲层、势垒层和GaN沟道,形成基本的GaN器件;
在所述基本的GaN器件生长之后进行欧姆接触工艺制成欧姆电极;
对所述基本的GaN器件进行台面隔离;
在基本的GaN器件覆盖金属层,形成最终的GaN器件。
3.一种GaN器件中SiC衬底的剥离方法,所述GaN器件为基于权利要求1或2所述方法生成的GaN器件,其特征在于,所述方法包括:
去除所述GaN器件中的Nb2N层,剥离出所述GaN器件中的SiC衬底。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述去除所述GaN器件中的Nb2N层之前,所述方法还包括:
对所述GaN器件进行电屏蔽。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
将剥离出的所述SiC衬底转移到Si晶圆。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述GaN器件覆盖有镍金属硬掩模,所述去除所述GaN器件中的Nb2N层之前,所述方法还包括:
使用接触式或电子束光刻方式对所述镍金属硬掩模进行构图;
采用ICP干法刻蚀方式以刻蚀所述GaN器件的异质结构,露出SiC衬底并打开横向进入Nb2N层的通道;
在稀硝酸浴的作用下去除所述镍金属硬掩模;
使GaN器件经XeF2蚀刻以从SiC衬底释放所述GaN器件中的若干器件层。
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述剥离出所述GaN器件中的SiC衬底,包括:
通过探针按压并固定到所述GaN器件的探针垫上,并将所述探针与对应的机械设备连接后,将所述GaN器件中的SiC衬底剥落。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述使GaN所述器件经XeF2蚀刻,具体为:
使GaN所述器件在100℃的温度和1.75托的压力下经XeF2蚀刻。
9.一种GaN器件,其特征在于,包括:
SiC衬底;
在SiC衬底上形成的Nb2N层;
在所述Nb2N层上依次形成的若干GaN器件层。
10.一种GaN器件中SiC衬底的剥离装置,其特征在于,所述装置包括:
剥离设备,用于去除所述GaN器件中的Nb2N层,剥离出所述GaN器件中的SiC衬底。
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