[发明专利]微针结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110105440.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112807561A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 郑成;徐德辉;荆二荣 | 申请（专利权）人： | 上海烨映微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | A61M37/00 | 分类号： | A61M37/00;B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种微针结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供硅衬底，所述硅衬底的晶面为(100)；
于所述硅衬底上形成抗蚀层；
在所述抗蚀层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成光刻胶窗口，且所述光刻胶窗口显露部分所述抗蚀层；
图形化所述抗蚀层，形成抗蚀层窗口，以显露部分所述硅衬底；
通过刻蚀液对所述硅衬底进行各向异性湿法刻蚀，形成实心针体，并去除所述光刻胶层及抗蚀层；
于所述实心针体表面形成亲水性薄膜。
2.根据权利要求1所述的微针结构的制备方法，其特征在于：所述亲水性薄膜包括氧化硅层，形成所述氧化硅层的方法包括热氧化法或化学气相沉积法。
3.根据权利要求2所述的微针结构的制备方法，其特征在于：当采用热氧化法形成所述亲水性薄膜时，工艺条件包括在氧化气氛下加热至1000℃～1100℃。
4.根据权利要求1所述的微针结构的制备方法，其特征在于：所述亲水性薄膜包括厚度为0.1μm～1μm的氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的微针结构的制备方法，其特征在于：所述抗蚀层包括氧化硅层或氮化硅层。
6.根据权利要求1所述的微针结构的制备方法，其特征在于：所述刻蚀液包括KOH溶液或TMAH溶液。
7.一种微针结构，其特征在于，所述微针结构包括：
硅衬底；
实心针体，所述实心针体位于所述硅衬底的表面上；
亲水性薄膜，所述亲水性薄膜覆盖所述实心针体。
8.根据权利要求7所述的微针结构，其特征在于：所述亲水性薄膜包括厚度为0.1μm～1μm的氧化硅层。
9.根据权利要求7所述的微针结构，其特征在于：所述实心针体的针高为50μm～1000μm；所述实心针体的针尖尺寸为10μm～100μm；所述实心针体的针底尺寸为200μm～250μm。
10.根据权利要求7所述的微针结构，其特征在于：在所述硅衬底的表面上，所述实心针体构成实心针体阵列，且所述实心针体阵列的密度为10根/cm2～400根/cm2。
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