[发明专利]确定水蒸气的饱和温度的方法、装置、电子设备和介质在审

专利信息
申请号: 202110106307.X 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN112733388A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 李广伟;郝赫 申请(专利权)人: 新奥数能科技有限公司
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F17/15;G06F119/08
代理公司: 北京嘉科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11687 代理人: 杨波
地址: 100102 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 确定 水蒸气 饱和 温度 方法 装置 电子设备 介质
【权利要求书】:

1.一种确定水蒸气的饱和温度的方法,其特征在于,包括:

获取水蒸气的绝对压力;

基于所述绝对压力,利用高阶函数,确定出所述水蒸气的饱和温度。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述高阶函数是通过如下步骤得到的:

获取训练样本集合,其中,所述训练样本集合中的训练样本包括样本水蒸气的样本绝对压力;

将训练样本中的样本水蒸气的样本绝对压力代入标准饱和温度公式,得到所述样本水蒸气的样本饱和温度;

根据水和水蒸气的热力性质表和所述样本水蒸气的样本绝对压力,计算出所述样本水蒸气的标准饱和温度;

基于所述样本饱和温度和所述标准饱和温度,确定饱和温度误差;

基于所述饱和温度误差,生成高阶函数。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述饱和温度误差,生成高阶函数,包括:

确定所述饱和温度误差是否满足预设条件;

响应于确定不满足,调整所述标准饱和温度公式的参数,得到调整后的标准饱和温度公式;

基于所述调整后的标准饱和温度公式,确定调整后的饱和温度误差;

响应于确定所述调整后的饱和温度误差满足所述预设条件,将所述调整后的标准饱和温度公式确定为所述高阶函数。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述高阶函数包括:

t(P)=-10.9858534680823×P1.5+87.0639896853169×P1.25-282.92113545391×P+487.911303047971×P0.75-483.854281154476×P0.5+440.701716149279×P0.25-58.0848701830052,其中,P表示水蒸气的绝对压力,单位为MPa;T表示水蒸气的饱和温度,单位为℃。

5.根据权利要求1-4之一所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

将所述水蒸气的饱和温度传输至具有显示功能的目标设备,以及控制所述目标设备显示所述水蒸气的饱和温度。

6.一种确定水蒸气的饱和温度的装置,其特征在于,包括:

获取单元,被配置成获取水蒸气的绝对压力;

确定单元,被配置成基于所述绝对压力,利用高阶函数,确定出所述水蒸气的饱和温度。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述高阶函数是通过如下步骤得到的:

获取训练样本集合,其中,所述训练样本集合中的训练样本包括样本水蒸气的样本绝对压力;

将训练样本中的样本水蒸气的样本绝对压力代入标准饱和温度公式,得到所述样本水蒸气的样本饱和温度;

根据水和水蒸气的热力性质表和所述样本水蒸气的样本绝对压力,计算出所述样本水蒸气的标准饱和温度;

基于所述样本饱和温度和所述标准饱和温度,确定饱和温度误差;

基于所述饱和温度误差,生成高阶函数。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述基于所述饱和温度误差,生成高阶函数,包括:

确定所述饱和温度误差是否满足预设条件;

响应于确定不满足,调整所述标准饱和温度公式的参数,得到调整后的标准饱和温度公式;

基于所述调整后的标准饱和温度公式,确定调整后的饱和温度误差;

响应于确定所述调整后的饱和温度误差满足所述预设条件,将所述调整后的标准饱和温度公式确定为所述高阶函数。

9.一种电子设备,包括:

一个或多个处理器;

存储装置,其上存储有一个或多个程序;

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行,使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-4中任一所述的方法。

10.一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,其中,所述程序被处理器执行时实现如权利要求1-4中任一所述的方法。

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