[发明专利]三维集成结构及其制造方法

权利要求书

1.一种三维集成结构,其特征在于，包括：

第一纳米电容，包括硅衬底、第一隔离介质、第一底部金属电极层和第一顶部金属电极层；其中，所述硅衬底的上表面开设有若干第一容纳槽，所述第一隔离介质、所述第一底部金属电极层和所述第一顶部金属电极层设于所述第一容纳槽内以及所述硅衬底的表面上，且所述第一隔离介质将所述第一底部金属电极层和所述硅衬底分隔；

第二纳米电容，包括绝缘衬底、第二底部金属电极层和第二顶部金属电极层；其中，所述绝缘衬底设于第一顶部金属电极层，所述绝缘衬底开设有若干第二容纳槽、第一连接孔和第二连接孔，所述第一连接孔导通至所述第一底部金属电极层，所述第二连接孔导通至所述第一顶部金属电极层，所述第二底部金属电极层设于所述第二容纳槽，且通过所述第一连接孔与所述第一底部金属电极层电连接；

第一导电件，通过所述第二连接孔分别与所述第一顶部金属电极层和所述第二顶部金属电极层电连接；

所述硅衬底由硅材料制成，所述绝缘衬底由交替层叠的SiO₂层与Si₃N₄层制成。

2.根据权利要求1所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第一纳米电容还包括第一绝缘介质和第二隔离介质；其中，

所述第一绝缘介质设于所述第一底部金属电极层和所述第一顶部金属电极层之间；

所述第一纳米电容开设有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一连接孔的一端，所述第一凹槽的侧面为所述第一绝缘介质和所述第一顶部金属电极层的组合层，所述第一凹槽的底面为所述第一底部金属电极层；

所述第二隔离介质设于所述第一凹槽，且所述第一连接孔穿过所述第二隔离介质。

3.根据权利要求2所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第二纳米电容还包括第二绝缘介质，所述第二绝缘介质设于所述第二底部金属电极层和所述第二顶部金属电极层之间，且所述第二底部金属电极层、所述第二绝缘介质和所述第二顶部金属电极层将所述第二容纳槽以及所述绝缘衬底的上表面覆盖。

4.根据权利要求3所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第二纳米电容还包括第三隔离介质和第四隔离介质；

所述第二纳米电容开设有第二凹槽和第三凹槽，所述第二凹槽位于所述第一连接孔的另一端，且所述第二凹槽的侧面为所述第二顶部金属电极层和所述第二绝缘介质的组合层，所述第二凹槽的底面为所述第二底部金属电极层，所述第三凹槽位于所述第二连接孔的一端，且所述第三凹槽的侧面为所述第二底部金属电极层、所述第二绝缘介质和所述第二顶部金属电极层，所述第三凹槽的底面为所述绝缘衬底的上表面，所述第三隔离介质设于所述第二凹槽内，且所述第一连接孔的延伸孔穿过所述第三隔离介质，所述第四隔离介质设于所述第三凹槽，且所述第二连接孔穿过所述第四隔离介质。

5.根据权利要求4任意所述的三维集成结构，其特征在于：

还包括第二导电件，所述第二导电件为“T”形，所述第二导电件一端设于所述第一连接孔的延伸孔与所述第二底部金属电极层电连接，所述第二导电件另一端与所述第三隔离介质连接。

6.根据权利要求5所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第一导电件为“T”形，所述第一导电件一端设于所述第二连接孔与所述第一顶部金属电极层抵接，所述第一导电件的另一端与所述第二顶部金属电极层连接。

7.根据权利要求1所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第一容纳槽和所述第二容纳槽均为“土”型凹槽。