[发明专利]三维集成结构及其制造方法

权利要求书

1.一种三维集成结构,其特征在于，包括：

第一纳米电容，包括设置的硅衬底、第一隔离介质、第一底部金属电极层和第一顶部金属电极层，所述第一隔离介质将所述第一底部金属电极层和所述硅衬底分隔；

第二纳米电容，包括绝缘衬底、第二底部金属电极层和第二顶部金属电极层，所述绝缘衬底设于所述第一顶部金属电极层，所述绝缘衬底间隔设有若干第一容纳槽，所述第一容纳槽的底端设有显露出所述第一顶部金属电极层的开口，所述第二底部金属电极层设于所述第一容纳槽内，且通过所述开口与所述第一顶部金属电极层电连接，所述第二纳米电容开设有导通至所述第一底部金属电极层的第一连接孔；

第一导电件，通过所述第一连接孔分别与所述第二顶部金属电极层和所述第一底部金属电极层电连接；

所述第一纳米电容还包括第一绝缘介质和第二隔离介质；其中，

所述硅衬底开设有第二容纳槽，所述第一隔离介质、所述第一底部金属电极层、所述第一绝缘介质和所述第一顶部金属电极层依次层叠设于所述第二容纳槽内和所述硅衬底的上表面，并将所述第二容纳槽填充；

所述第一纳米电容开设有第一凹槽，所述第一凹槽的侧面为所述第一绝缘介质和所述第一顶部金属电极层的叠层，所述第一凹槽的底面为所述第一底部金属电极层；

所述第二隔离介质设于所述第一凹槽，且所述第一连接孔穿过所述第二隔离介质；

所述第一导电件为“T”形，所述第一导电件一端设于所述第一连接孔与所述第一底部金属电极层电连接，所述第一导电件的另一端位于所述第一连接孔外与所述第二顶部金属电极层连接；

所述第一容纳槽和所述第二容纳槽均为“土”型凹槽。

2.根据权利要求1所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第二纳米电容还包括第二绝缘介质，所述第二绝缘介质设于所述第二底部金属电极层和所述第二顶部金属电极层之间，且所述第二底部金属电极层、所述第二绝缘介质和所述第二顶部金属电极层填充所述第一容纳槽以及将所述绝缘衬底的上表面覆盖。

3.根据权利要求2所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第二纳米电容还包括第三隔离介质；

所述第二纳米电容开设有第二凹槽，且所述第二凹槽的侧面为所述第二顶部金属电极层、所述第二绝缘介质和所述第二底部金属电极层的叠层，所述第二凹槽的底面为所述绝缘衬底，所述第三隔离介质设于所述第二凹槽内，所述第一连接孔的延伸孔穿过所述第三隔离介质。

4.根据权利要求3任意所述的三维集成结构，其特征在于：

还包括第二导电件和第四隔离介质；

所述第二纳米电容还开设有第三凹槽，所述第三凹槽的侧面为所述绝缘介质和所述第二顶部金属电极层，所述第三凹槽的底面为所述第二底部金属电极层，所述第四隔离介质设于所述第三凹槽，所述第四隔离介质上开设有第二连接孔；

所述第二导电件为“T”形，所述第二导电件一端设于所述第二连接孔内与所述第二底部金属电极层电连接，所述第二导电件另一端与所述第四隔离介质连接。

5.根据权利要求1所述的三维集成结构，其特征在于：

所述硅衬底由硅材料制成，所述绝缘衬底由交替层叠的若干SiO₂层与若干Si₃N₄层制成。