[发明专利]一种减少硅污染的多晶料合成方法

权利要求书

1.一种减少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，在将稼容器放入石英管之前，先在稼容器的底部下方放置垫板，所述垫板为高纯石英材质，在稼容器的容器口上放置相匹配的氮化硼盖板。

2.根据权利要求1所述的一种减少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，所述垫板的厚度为1-5mm，所述氮化硼盖板的厚度为0.5-2mm。

3.根据权利要求2所述的一种减少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，所述合成方法具体为：将垫板和氮化硼盖板分别放置于稼容器的底部和容器口，然后将稼容器推入石英管管尾，在石英管中放入砷容器，对石英管抽真空，焊接密封，采用分段加热进行多晶料的合成。

4.根据权利要求3所述的一种减少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，所述稼容器距离石英管尾部的距离为1-10cm。

5.根据权利要求4所述的一种减少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，所述分段加热具体为：先对砷容器所处管段进行加热，升温至600-800℃后，对稼容器所处管段进行加热，升温至1230-1280℃，保温反应完成后，降至室温。

6.根据权利要求5所述的一种减少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，在所述分段加热过程中，保温反应完成后，降温时砷容器所处管段的温度保持，稼容器所处管段的温度以10-40℃/h的速率进行降温。